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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵(gan)功率器件

600v氮化鎵(gan)功率器件 文章 最新資訊

富士通明年計劃量產氮化鎵功率器件

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現低碳社會做出重大貢獻。
  • 關鍵字: 富士通  功率器  GaN  

電源功率器件的散熱

  • 在穩壓電源中主元器件采用功率半導體器件,如功率晶體管(GTR)、功率場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(I...
  • 關鍵字: 電源  功率器件  散熱  

怎樣去選擇好逆變器功率器件

  • 逆變器的主功率元件的選擇至關重要,目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管(GTR),功率場效應管(MOSFET),絕...
  • 關鍵字: 逆變器  功率器件  

功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字: 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

具集成型功率器件的I2C控制型電池電源管理IC

  • 可采用任何5V電源給高容量電池充電,同時保持低運行溫度便攜式電子產品設計人員面臨著這樣的挑戰,就是要開...
  • 關鍵字: I2C  電源管理  功率器件  

功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術

  • 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展到蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象,且其封裝簡單,主要采用TO220 和 TO247
  • 關鍵字: MOSFET  功率器件  汽車電子    

“主流GaN”的發展和未來

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
  • 關鍵字: 科銳  放大器  GaN  

電動汽車對電源芯片與功率器件挑戰

  • 在汽車行業的發展方向上,電動汽車(EV)和油電混合動力汽車(HEV)正成為一個明顯的趨勢。從技術角度來說,目前更...
  • 關鍵字: 電動汽車  電源芯片  功率器件  

汽車系統中的功率電子技術

  • 一、導言汽車中使用電子產品可以追溯到使用電動啟動器替代手動曲柄的20世紀初。上世紀60年代,隨著固體電...
  • 關鍵字: 動力傳動  汽車前燈  功率器件  

功率器件的開發應用與實例圖解

  • 隨著全球能源的日趨緊張,節能節電迫在眉睫。電能轉換是節能節電的重要環節。在電能轉換過程中,轉換期間的...
  • 關鍵字: 功率器件  開發應用  實例圖解  

功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應用

  • 混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統現場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較,并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
  • 關鍵字: HEV  功率器件  混合動力汽車  中的應用    

瑞薩推出14款適用于汽車車身應用的智能功率器件

  • 全球領先的先進半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)日前宣布推出14個針對汽車應用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡稱“IPD”),包括μPD166023在內的該系列產品面向外部車燈驅動(如頭燈和霧燈),電加熱座椅和電機驅動等典型車身應用。
  • 關鍵字: 瑞薩  功率器件  IPD  

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
  • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應力的影響,一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內量子效率接近40%。硅襯底在
  • 關鍵字: GaN  LED  分析    
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600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

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