MOSFET或IGBT保護方法有很多，有專門帶保護的驅動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護電路。專門帶保護的驅動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。
下面介紹一種無采樣電阻的方法：
上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當過載時Q1壓降增大，從
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采樣電阻 功率器件
摘要：在電源系統設計中，當一個電源模塊的功率無法滿足系統的設計要求時，我們往往會考慮多個模塊的并聯使用。如果并聯設計不合理，就會導致并聯模塊輸出均流失效，會有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統的風險。今天跟大家簡單分享一些造成電源模塊并聯失效的真正原因。
目前電源系統的發展趨勢采用新型的功率器件實現小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯進行擴容。電源并聯運行是電源產品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術發展的趨勢之一，是實現組合大功率電源系統的重點。
1.不
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電源模塊 功率器件
根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體業者受惠;另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業。Yole預期EV/HEV產業將持續大力推動Si
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SiC GaN
目前，電動汽車和工業馬達的可變速馬達驅動系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統測量、優化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。
今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：工業傳動、光伏發電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
工業及光伏發電市場
針對工業光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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三菱電機 功率器件
英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
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英飛凌 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 松下 GaN
近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 GaN
英飛凌和松下聯合開發GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
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英飛凌 松下 GaN
氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色!帥呆了!
至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射頻
摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。
近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產品陣容、開發以及市場情況做了詳盡的介紹。
各種功率器件的比較
功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
功率器件在我國還屬于朝陽產業，就其在中國發展的歷程來看，從20世紀50年底的可控硅SCR發展到80年代的較為成熟的絕緣柵雙極晶體管IGBT，發展時間較短。就其增長速度來看，市場規模增長速度較快，高于我國制造業的平均增長速度，并已經成為了全球最大的功率器件市場。
根據統計局的數據顯示，2013年，我國功率器件銷售額比2012年增長9.9%，銷售金額達到1804.87億元。就其下游需求行業來看，無論是從生活聯系緊密的數碼相機、LED電視、手機到新能源汽車、工業控制，均是目前成長良好需求廣闊甚至在未來
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功率器件 半導體 LED
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
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