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nor 文章 最新資訊

NOR FLASH火了

  • 閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨(dú)特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域占據(jù)一席之地。作為非易失閃存的兩大核心技術(shù)路徑之一，NOR Flash 歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展，在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI 服務(wù)器等新興場景的驅(qū)動(dòng)下，正從「小眾利基市場」邁向「高成長賽道」。而在這一浪潮中，本土 MCU 企業(yè)的布局尤為關(guān)鍵。以中微半導(dǎo)為代表的本土企業(yè)，正憑借 MC
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NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

  • 進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更大的固件容量、無線升級（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動(dòng)了高密度NOR Flash設(shè)備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級。盡管出貨量趨于平穩(wěn)，但產(chǎn)品密度的提升、漫長的認(rèn)證周期以及向55-40納米工藝穩(wěn)定遷移，將持續(xù)驅(qū)動(dòng)其價(jià)值增長。得益于供需結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，NOR F
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1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統(tǒng)成本與功耗

  • 如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領(lǐng)域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統(tǒng)級芯片（SoC）。先進(jìn) SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結(jié)構(gòu)，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統(tǒng)外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
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低開銷、高安全性的NOR閃存解決方案

  • ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動(dòng)以及其他安全功能，如片上認(rèn)證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內(nèi)置這些功能的微控制器或微處理器的設(shè)計(jì)提供安全服務(wù)。標(biāo)準(zhǔn)形態(tài)意味著存儲芯片可以整合到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中，以增強(qiáng)安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全啟動(dòng)和認(rèn)證等安全基礎(chǔ)功能，而高端的ArmorFlash則增加了數(shù)據(jù)加密和解密等服務(wù)。安全啟動(dòng)是指啟動(dòng)碼在使用系統(tǒng)啟動(dòng)前經(jīng)過驗(yàn)證。通常通過使用密鑰認(rèn)證代碼，確保其來源為授權(quán)來源且未被修改
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內(nèi)存漲價(jià)輪到NOR Flash！ 第四季全面漲勢更兇狠

  • 終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價(jià)格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報(bào)價(jià)5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場漲價(jià)風(fēng)聲蠢蠢欲動(dòng)，NOR Flash價(jià)格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報(bào)價(jià)調(diào)漲， 單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價(jià)格近來明顯走揚(yáng)，不僅DDR4身價(jià)暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價(jià)格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個(gè)月來現(xiàn)貨價(jià)格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
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兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進(jìn)嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
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兆易創(chuàng)新GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認(rèn)證證書

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash獲得由國際公認(rèn)的測試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認(rèn)證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash在嚴(yán)苛汽車應(yīng)用場景中的卓越安全性能和可靠性，也進(jìn)一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著汽車電子電氣組件數(shù)量的指數(shù)級增長，其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權(quán)威汽車功能
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閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮

  • 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢，供應(yīng)鏈人士透露，2024 年 1 月，預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達(dá)到 10%。過去幾年，隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場的變化，NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后，NOR Flash 價(jià)格在 2
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NAND Flash和NOR Flash的異同

  • NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)。· 兩者都可以進(jìn)行擦寫和再編程。· 兩者在寫之前都要先
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兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應(yīng)用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

  • 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動(dòng)懸架控制器（CDC）出貨量已超數(shù)萬臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場景中穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗(yàn)證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統(tǒng)被動(dòng)式、半主動(dòng)式和主動(dòng)式三類，而主動(dòng)式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和路面情況自適應(yīng)調(diào)節(jié)減振器阻尼力，使其更好地適用于當(dāng)前路段，懸架
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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行業(yè)庫存情況如何？國內(nèi)一存儲廠商回應(yīng)

  • 近日，存儲器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康，設(shè)計(jì)原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時(shí)間，各廠商依然會采取適當(dāng)?shù)慕祪r(jià)策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預(yù)計(jì)下半年會持續(xù)向好，價(jià)格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢，公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強(qiáng)調(diào)，公司將積極地進(jìn)行戰(zhàn)略盤整，持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，公司會充分發(fā)揮公司的
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使用NOR門構(gòu)建基本邏輯門

  • 邏輯門基本上由三個(gè)基本邏輯門組成，分別稱為 NOT、AND 和 OR 門。所有邏輯門都有各自相同的邏輯功能。通過這些邏輯門的組合，我們可以得到任何布爾或邏輯函數(shù)或邏輯功能。基本邏輯門的真值表：在了解轉(zhuǎn)換之前，我們首先需要了解每個(gè)邏輯門的工作原理。1. NOT 邏輯門：這是最簡單的數(shù)字邏輯電路類型。這些門是一個(gè)兩端設(shè)備，一個(gè)是輸入端，另一個(gè)是輸出端，NOT 門的輸入只能是二進(jìn)制數(shù)，即可以是 0，也可以是 1。NOR 邏輯門的輸出總是與輸入相反，也就是說，如果我們在輸入端輸入邏輯 1，那么輸出端將是邏輯 0，
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兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

  • 中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達(dá)128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應(yīng)對大容量代碼存儲需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展，市場需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

  • 【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測儀、無人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
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nor介紹

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)常可 [ 查看詳細(xì) ]

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