- Spansion目前正準備高調卷土重來，這次能否成功，抑或再次失敗？分析師對Spansion的前景眾說紛紜。上個...
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Spansion 半導體 NOR 閃存
- 華邦總經理詹東義表示，NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續調漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動的影響相對較小。
華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場缺口約20%，華邦的優勢在于質量、成本和交期穩定。目前對于NOR Flash產能的規劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預計這樣的產能水平仍無法滿足客戶需求
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華邦 NOR Flash
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協議，美光已發行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- 相變存儲技術看來終于要走出實驗室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產品。
相變存儲屬于非易失性存儲技術，可以像閃存那樣在關機后繼續保持數據。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數碼設備的存儲速度。
三星表示，多芯片封裝PRA
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Numonyx 相變存儲 NOR
- 富士通微電子公司日前宣布，已經成功開發出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續航時間。
富士通表示，將以這項N
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富士通 NOR 閃存
- 據iSuppli公司，經濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈，類似于整體內存市場的情形。
2009年第四季度總體NOR營業收入為12.3億美元，比第三季度的12.2億美元增長0.7%。
“這標志這個市場連續第三個季度實現環比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕，營業額下降到不足10億美元，”iSuppli公司的資深內存與存儲分析師Michael Yang表示，“第四季度NOR閃存營業收入受到來自多個消費產品領域的需求推動，包括液晶電視、手機和電腦。需
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Numonyx NOR 內存
- 據國外媒體報道，美國最大的電腦存儲芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布，將斥資12.7億美元收購閃存芯片制造商恒憶半導體(Numonyx Holdings BV)，借此增強其閃存芯片業務。
收購恒億
美光科技科技在聲明中表示，將向恒憶半導體的投資者——英特爾、意法半導體(STMicroelectronics)以及私募股權公司Francisco Partners——定向增發1.4億股股票。除此之外，美光科技還會向恒憶
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美光 NOR Numonyx
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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MCU NAND NOR Android
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業中有獨特的地位。業界有人稱它為半導體業的風向標。
縱觀DRAM發展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
- 為中芯解開多年無法突破的經營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。
11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創辦人、執行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執行董事兼集團總裁、首席執行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。
中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。
這件事情所以在臺灣
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 據臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。
臺灣媒體引述“內部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統籌管理。
據報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協議，成都市政府出資成立成
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 市場研究機構水清木華日前發布“2009年手機內存行業研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
- 市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
- 引 言
STM32是ST(意法半導體)公司推出的基于ARM內核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內核是為低功耗和價格敏感的應用而專門設計的，具有突出的能效比和處理速度。通過采用Thumb－2高密度指令集，Cor
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Flash FSMC STM NOR
- 據來自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。
Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產，目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內部和外部的資源，對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。
2007年，Spansion啟用業界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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閃存 NOR 300mm
nor介紹
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經常可 [
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