pur-si 文章最新資訊

Vishay推出額定電壓550 V和600 V的193 PUR-SI系列牛角式功率鋁電解電容器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率鋁電解電容器陣容新增額定電壓為550 V和600 V的型號。該產(chǎn)品系列在同等大小封裝尺寸下，紋波電流承載能力較標(biāo)準(zhǔn)解決方案提升高達(dá)30 %，而且使用壽命更長。工程師在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中通常采用三個(gè)400 V至450 V電容器串聯(lián)，被串聯(lián)的每個(gè)電容器還需要并聯(lián)均衡電阻，以應(yīng)對高達(dá)1100 V的DC母線電壓 - 這種方法增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度和潛在失效率。日前發(fā)布的
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硅基氮化鎵（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波頻段的優(yōu)勢

法國 SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學(xué)的研究人員報(bào)道，適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作時(shí)，功率附加效率（PAE）突破 60%。該器件同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低至 1.1dB 的業(yè)界領(lǐng)先噪聲系數(shù)。研究人員表示：“這些結(jié)果表明，結(jié)合優(yōu)化的外延結(jié)構(gòu)與工藝，適度微縮即可帶來具備競爭力的技術(shù)方案?！毖芯繄F(tuán)隊(duì)認(rèn)為，這類3–6V 低壓射頻器件適用于 5G 高頻毫米波頻段（FR2，24.25–71.0GHz）的單片集成移動收發(fā)（T/R）模塊。5G 低頻段 FR1：410–
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Si-Five加入NVLink

SiFive將集成Nvidia NVLink Fusion，納入其數(shù)據(jù)中心級設(shè)計(jì)，拓展基于RISC-V構(gòu)建AI系統(tǒng)的選項(xiàng)。通過將寬且錯(cuò)序的核心與可擴(kuò)展的連貫結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的內(nèi)存層級結(jié)合，SiFive 使云服務(wù)提供商和系統(tǒng)供應(yīng)商能夠根據(jù)工作負(fù)載需求定制 CPU，同時(shí)保持 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)帶來的軟件可移植性。隨著NVLink的加入，SiFive可以通過連貫的高帶寬互連直接連接到Nvidia的GPU和加速器，以降低延遲、更高效地共享數(shù)據(jù)，并提升大規(guī)模AI部署的整體系統(tǒng)利用率。英偉達(dá)創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁森表示
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內(nèi)重要會議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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巴斯夫推出全新抗氧化劑解決方案Irgastab PUR 71

■? ? 配方中不含芳香胺，有助于改善環(huán)境、保障人體健康和生命安全■? ?作為優(yōu)質(zhì)的抗燒焦解決方案，具備卓越的性能并可降低排放水平■? ?可持續(xù)性的解決方案，能夠?yàn)槎嘣己途郯滨ヅ菽a(chǎn)商帶來競爭優(yōu)勢巴斯夫推出的這款優(yōu)質(zhì)、合規(guī)且性能卓越的創(chuàng)新型抗燒焦解決方案Irgastab? PUR 71不含芳香胺，有效解決了傳統(tǒng)抗燒焦添加劑的局限性，憑借其出色的環(huán)保、健康和安全性能，該解決方案還可滿足行業(yè)內(nèi)日益嚴(yán)苛的物質(zhì)分類和可持續(xù)監(jiān)管要求?！癐rgastab
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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊(duì)

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
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貿(mào)澤電子與Fortebit簽署全球分銷協(xié)議

專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協(xié)議。該公司設(shè)計(jì)并制造高質(zhì)量、高性價(jià)比的解決方案，用于嵌入式語音識別、語音播放功能和位置服務(wù)。簽署此項(xiàng)協(xié)議后，貿(mào)澤分銷的 Fortebit產(chǎn)品線包含EasyVR 3 Plus語音識別器件和Polaris汽車物聯(lián)網(wǎng)平臺等產(chǎn)品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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智?遠(yuǎn) | IA架構(gòu)何以引領(lǐng)視頻會議邁向智能時(shí)代

知IN，英特爾的自媒體微信賬號。分享英特爾新聞、產(chǎn)品技術(shù)和內(nèi)幕故事；交流行業(yè)熱點(diǎn)話題；體味科技與人文的溫度
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a-Si/GZO/LTPS三種技術(shù)對比

隨著顯示產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，人們對于顯示成像技術(shù)的要求不斷提高，這也促使著技術(shù)的不斷發(fā)展，TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
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2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規(guī)格成新藍(lán)海

　　DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發(fā)展，由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品，以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動機(jī)提升等因素帶動，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%，其中，臺系業(yè)者市占率將達(dá)近4成，從過去由新思(Synaptics)一家獨(dú)大局面中突圍。　　TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區(qū)智能型手
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回顧全球平板顯示行業(yè)的2015：新格局新常態(tài)

　　2015年，對于顯示面板產(chǎn)業(yè)而言，注定是不平凡的一年。全球來看，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入深度調(diào)整和高速發(fā)展期，轉(zhuǎn)型升級步伐不斷加快，產(chǎn)品競爭日益激烈;國內(nèi)來看，產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，核心競爭力逐步增強(qiáng)，液晶面板產(chǎn)能過剩卻隱憂暗藏。總之，2015年顯示面板產(chǎn)業(yè)既有技術(shù)提升和創(chuàng)新帶來的變革，也有市況與價(jià)格戰(zhàn)帶來的重重考驗(yàn);既有順應(yīng)市場需求而快速崛起的新勢力，也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始，我們對行業(yè)進(jìn)行梳理和總結(jié)，通過七個(gè)關(guān)鍵詞來回顧全球顯示面板產(chǎn)業(yè)不平凡的2015年，同時(shí)提煉產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，以窺2016。
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主流a-Si面板逐漸被LTPS、AMOLED取代

　　TrendForce旗下光電事業(yè)處WitsView最新研究報(bào)告顯示，2015年全球智能手機(jī)面板出貨有機(jī)會達(dá)到18.2億片，2016年上看19.5億片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規(guī)格的智能手機(jī)面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時(shí)，受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響，AMOLED規(guī)格的智能手機(jī)面板出貨比重也有機(jī)會由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。　　WitsView資深研究經(jīng)理范博毓表示，F(xiàn)HD機(jī)種往中端手機(jī)市場擴(kuò)張的態(tài)勢確
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一種基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

1　PMM8713的功能特點(diǎn) PMM8713是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進(jìn)電機(jī)。PMM8713在控制二相或四相步進(jìn)電機(jī)時(shí)都可選擇三種勵(lì)磁方式(1相勵(lì)磁，2相勵(lì)磁，1-2相勵(lì)磁三種勵(lì)磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路，抗干擾能力很強(qiáng)，其原理框圖如圖1所示。在PMM8713的內(nèi)部電路中，時(shí)鐘選通部分用于設(shè)定步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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世強(qiáng)啟動Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會

　　由中國最大本土分銷企業(yè)世強(qiáng)攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發(fā)工程師，Silicon?Labs的資深技術(shù)專家將親臨現(xiàn)場，帶來處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計(jì)技術(shù)?！　”敬螘h主題涉及：　　1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實(shí)現(xiàn)超低功耗設(shè)計(jì)(最低待機(jī)功耗900nA)　　2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計(jì)與應(yīng)用　　3、使用任意頻點(diǎn)可編程時(shí)鐘縮短產(chǎn)品上市時(shí)間
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