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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長(zhǎng)

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場(chǎng)氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動(dòng)功率電子行業(yè)迎來(lái)一場(chǎng)重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場(chǎng)景及未來(lái)前景，為行業(yè)提供重要參考。英
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臺(tái)積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動(dòng)下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長(zhǎng)期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2024年的3.9億美元快速增長(zhǎng)至2030年的35.1億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)44%。在此高速擴(kuò)張背景下，領(lǐng)先晶圓代工廠的戰(zhàn)略調(diào)整正在重塑GaN產(chǎn)業(yè)鏈格局。盡管臺(tái)積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務(wù)，但已通過(guò)技術(shù)授權(quán)協(xié)議，將其深厚的技術(shù)積累轉(zhuǎn)移給合作伙伴——世界先進(jìn)（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動(dòng)產(chǎn)
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Si-Five加入NVLink

SiFive將集成Nvidia NVLink Fusion，納入其數(shù)據(jù)中心級(jí)設(shè)計(jì)，拓展基于RISC-V構(gòu)建AI系統(tǒng)的選項(xiàng)。通過(guò)將寬且錯(cuò)序的核心與可擴(kuò)展的連貫結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的內(nèi)存層級(jí)結(jié)合，SiFive 使云服務(wù)提供商和系統(tǒng)供應(yīng)商能夠根據(jù)工作負(fù)載需求定制 CPU，同時(shí)保持 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)帶來(lái)的軟件可移植性。隨著NVLink的加入，SiFive可以通過(guò)連貫的高帶寬互連直接連接到Nvidia的GPU和加速器，以降低延遲、更高效地共享數(shù)據(jù)，并提升大規(guī)模AI部署的整體系統(tǒng)利用率。英偉達(dá)創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁森表示
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進(jìn)行專有 GaN 生長(zhǎng)工藝：工程師借助安森
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動(dòng)器和控制器的優(yōu)勢(shì)。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來(lái)。
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借助TOLL GaN突破太陽(yáng)能系統(tǒng)的界限

太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能，也能提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時(shí)，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個(gè)裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
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技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽(yáng)能系統(tǒng)的界限

太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能，也能提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時(shí)，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個(gè)裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
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美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴

●? ?美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó)●? ?該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價(jià)值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實(shí)現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用英飛凌300mm GaN技術(shù)美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利1。此外，在初步裁定中，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)確認(rèn)，英飛凌在向該委員會(huì)提起的訴訟中
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ST宣布用于運(yùn)動(dòng)控制的GaN集成電路平臺(tái)

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場(chǎng)上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具和工廠自動(dòng)化等產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。意法半導(dǎo)體應(yīng)用專用產(chǎn)品部門總經(jīng)理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺(tái)通過(guò)引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用中的寬帶隙效率提升。”“這些新設(shè)
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STicroelectronics 新的 GaN 集成電路運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)提升了電器能耗

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電力組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場(chǎng)上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具和工廠自動(dòng)化等產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。?意法半導(dǎo)體應(yīng)用專用產(chǎn)品部總經(jīng)理Domenico Arrigo表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺(tái)通過(guò)引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)
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Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

全球運(yùn)動(dòng)控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡(jiǎn)稱“Allegro”，納斯達(dá)克股票代碼：ALGM)，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的?4.2kW?全?GaN?參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)采用了?Allegro?的先進(jìn)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創(chuàng)新解決方
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使用 p-GaN 屏蔽提高開關(guān)速度

電力電子產(chǎn)品的銷售額預(yù)計(jì)將在這十年及以后飆升。推動(dòng)這一趨勢(shì)的是電動(dòng)汽車產(chǎn)量的增加和數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)，由于人工智能的采用，數(shù)據(jù)中心的電力需求更加苛刻。對(duì)于使用電力電子的每種應(yīng)用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程、減少電費(fèi)、減少供暖和減少碳足跡。由于卓越的效率帶來(lái)的這些優(yōu)勢(shì)，基于寬禁帶半導(dǎo)體的器件越來(lái)越多地被采用。到目前為止，基于 SiC 的 MOSFET 創(chuàng)造了最多的收入，其中 MOSFET 因贏得電動(dòng)汽車部署而成為頭條新聞。然而，盡管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它們包括
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Yole:消費(fèi)、汽車和數(shù)據(jù)中心推動(dòng)GaN復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)42%

Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到 30 億美元，2024 年至 2030 年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 42%。消費(fèi)電子產(chǎn)品是領(lǐng)先的采用者，功率氮化鎵繼續(xù)在快速充電器領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管與 xEV 市場(chǎng)放緩相關(guān)的短期延遲，但汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域正在出現(xiàn)新興勢(shì)頭。預(yù)計(jì) 2024 年至 2030 年間，xEV GaN 需求將以 73% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)中心正在加速氮化鎵的發(fā)展，因?yàn)樗鼈儗?duì)高效電力系統(tǒng)的需求，而氮化鎵正在成為關(guān)鍵的推動(dòng)者。與電信一起，數(shù)據(jù)中心在
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意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門設(shè)計(jì)，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩(wěn)壓器，為上下橋臂提供6V柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，拉電流和灌電流路徑采用分開獨(dú)立設(shè)計(jì)，可以靈活控制GaN 的開通和關(guān)斷。STDRIVEG210 主打功率變換應(yīng)用，例如，服務(wù)器電源、電池充電器、電源適配器、太陽(yáng)能微型逆變器和功率優(yōu)化器、LED燈具、USB-C電源。諧振和硬開關(guān)兩種拓?fù)渚m用，300ns啟動(dòng)時(shí)
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在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來(lái)，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對(duì)GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對(duì)各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對(duì)GaN FET驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化。借助
關(guān)鍵字： ADI LTspice GaN