摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數和仿真結果。
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
橫跨多重電子應用領域、全球第一大消費電子和便攜設備MEMS(微機電系統)傳感器供應商意法半導體進一步擴大MEMS產品組合，推出整合三軸線性運動和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進運動感測應用，包括遙控器、黑匣子數據記錄儀以及增強型全球定位系統。
關鍵字：
ST MEMS
橫跨多重電子應用領域、全球第一大消費電子和便攜設備MEMS（微機電系統）傳感器供應商意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）進一步擴大MEMS產品組合，推出整合三軸線性運動和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進運動感測應用，包括遙控器、黑匣子數據記錄儀以及增強型全球定位系統。
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ST MEMS
艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業內最新BSIM-IMG模型的應用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要：片上系統射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會根據一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發生器，一個差分脈沖轉換器，一個繼電器驅動器，以及一個繼電器線圈。 瞬動開關提供驅動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
我們發現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統-電路-器件電源管理生態系統構成的底層，晶體管的創新將會繼續在定義下一代提高功效的策略時發揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統
"在處理矩陣計算時，LabVIEW提供了編程工具更方便地編寫功率系統應用程序，從而節省編程時間。"– Gooi Hoay Beng, Nanyang Technological University
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NI LabVIEW MEMS
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