Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點至環境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續狀態下支持高達1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實現更低溫度運行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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Diodes MOSFET
UCC27321高速驅動MOSFET芯片的應用設計,1 引言 隨著電力電子技術的發展,各種新型的驅動芯片層出不窮,為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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應用 設計 芯片 MOSFET 高速 驅動 UCC27321
在電源系統中,MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性?! CD
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MOSFET 驅動器 數字控制電源 設計方案
碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統硅器件相比,可實現更高的能源效率。
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科銳 SiC MOSFET
Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產品設計要求,如智能手機及平板計算機等。
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Diodes MOSFET DMP1245UFCL
傳統的離線開關模式功率轉換器會產生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關和電力設施帶來...
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PFC MOSFET PWM
中心議題: 同步整流基礎知識 優化同步整流MOSFET解決方案: 確定優化MOSFET的負載電流 借助四象限SR器件優化表選擇MOSFET 1. 引言 電源轉換器的封裝密度日益提高和節能標準越來越嚴格,
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MOSFET 最優化 選擇 整流 同步
摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。 關鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能 (上接第
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控制器 -LM5046 全橋移 驅動器 MOSFET 集成
高效率和節能是家電應用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優勢而被廣泛應用在家電設...
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意法半導體 MOSFET 逆變器
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,
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MOSFET 驅動 電路設計
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產品的電壓和封裝占位選項,使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規格產品的獨家供應商。
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Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前,集設計,開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司(AOS),發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
新的產品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術。這些技術的好處在于它可以延長電池的使用壽命,還可以使設計變的更簡單緊湊,適用于便攜式產品,例如:平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數碼相機及便攜式音樂播放器。
AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
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AOS MOSFET
在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術可以減少開關損耗,甚至可通過SiC技術改善升壓二極管來減少MOSFET的開關損...
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開關 PFC MOSFET
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