- 市場調查機構TrendForce最新報告預測，服務器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價可能攀升至少25%。
2017年第一季初，服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%，部份高密度產品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。
TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange發現，服務器DRAM模組報價看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續漲價。除此之外，服務器制造業者因擔心價格持續走揚而提前
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DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的季度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約看來，2017年第一季標準型內存價格持續攀高，平均漲幅接近三成，服務器內存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM
- 在2015、2016連續兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發出的新型內存單元，能夠顯著降低動態隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態的內存單元，無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝。 相較于一般的DRAM，VLT內存數組能節約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元，以及驅動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內存數組效率。然而，想要發揮VLT的優勢，就必須在依據產業標準發展的成熟DR
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DRAM
- 大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。
半導體設備業透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產業從零突破的開端，也創下由國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作的新合作模式。
由紫光集團聯合國家集成電路產業基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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紫光 DRAM
- 根據ICInsights報道，在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于
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DRAM 存儲器
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲
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DRAM SK海力士
- 在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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存儲器 DRAM
- 力晶執行長黃崇仁20日出席臺灣物聯網產業技術協會成立大會時表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒有到大陸生產存儲器的計劃;同時他發表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。
20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團，協助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。
由于力晶已經前進大陸合肥在當地蓋12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經蓋好，明年將進
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力晶 DRAM
- 中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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華亞科 DRAM
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產10奈米級DRAM的半導體業者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發，同時著手開發1y奈米，并組成1z奈米研發團隊，持續追求更高的技術競爭力。
據韓媒ET News報導，14日業界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
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SK海力士 DRAM
- 中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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華亞科 DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發完成后，SK 海力士將繼續研發 1y DRAM，并為發展 1z DRAM 鋪路。
來自產業界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。
半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發才算完成。據報
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SK海力士 DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發完成后，SK 海力士將繼續研發 1y DRAM，并為發展 1z DRAM 鋪路。
來自產業界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。
半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發才算完成。據報
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SK海力士 DRAM
- 美光全數收購華亞科股權，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區擴大投資案，包括3D DRAM封測廠和華亞科擴建案，估計總投資金額上看千億元新臺幣。
美光已網羅前艾克爾總經理梁明成出任負責美光存儲器后段封測廠投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執行長鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預料將同步宣布相關人事及擴大在臺投資布局。
這也是美光繼在大陸西安廠之后，在海外最大手筆的封測投資計劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長鄭文燦及經濟部長等相
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美光 DRAM
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