Hot Chip 2016大會上,內存技術突然成了一大熱點,DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面,明后兩年陸續就能見到。
這份發展規劃主要來自存儲大廠三星,美光也提出了一些想法,而新規范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。
DDR5內存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB,帶寬最高6.4Gbps,兩倍于DDR4,而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V,這在歷史上倒是第一次。
美光計劃2019年量產DDR5,三星
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DDR5 LPDDR5
今天,鎂光正式公布了DDR5內存的詳細規格。作為DDR4內存的繼任者,DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看,DDR5內存將從8GB容量起步,最高可達單條32GB,I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps,同時電壓1.1V,內存帶寬將為DDR4內存的兩倍。
此外,鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內存將從3200Mhz起步,主流內存頻率可達6400Mhz。
同時,鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內存樣品,并將在2019年實現正式量產。
據業內人士估計
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鎂光 DDR5
韓聯社首爾8月17日電 據半導體市場調研機構DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動動態隨機存儲器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元,全球市場占有率升至61.5%,創下移動DRAM市場份額單獨統計以來的歷史最高紀錄。
三星2015年后三季度的移動DRAM市場份額均未突破60%關口,分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后,第二季又提升1.1個百分點。三星移動DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個百分點
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三星 DRAM
DRAMeXchange最新報告指出,中國地區的智慧型手機出貨依然強勁,DRAM三大廠同步調整產品類別,持續向行動式記憶體轉進,伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來,預估第3季全球DRAM總營收將出現較顯著的成長。
DRAMeXchange表示,因市況供過于求,第2季DRAM的平均銷售單價持續下滑,整體均價季跌幅超過5%,但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產出順利,帶動位元供給成長,使得第2季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%。
三星在第2季的DRAM產業營收仍排行第一,營收季
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三星 DRAM
TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,由于市況供過于求,第2季DRAM的平均銷售單價持續下滑,整體均價季跌幅超過5%,但受惠美光20納米及SK海力士21納米產出順利,帶動位元供給成長,第2季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長,臺廠部分,以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現最佳。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,第2季筆記型電腦及伺服器相關產品出貨動能表現一般,但中國地區的智慧型手
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DRAM
按IC Insight的最新IC市場觀察報告,2016年因供過于求,導致全球DRAM的平均售價(ASP)下降16%,導致全球IC銷售額下降2%。
由于PC,筆記本,及平板電腦,包括智能手機等的出貨量減少,今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏,由2014年的3.16美元高點,到2012年時的1.69美元。
IC Insight認為,一組DRAM的ASP曲線,從2007年開始象飛機飛過山谷時一樣的起伏。預計在服務器及新智能手機等市場需求推動
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DRAM
受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產出順利,帶動位元供給成長,使得第二季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單價持續下滑,整體均價季跌幅超過5%。然而,受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產出順利,帶動位元供給成長,使得第二季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%。
DRAMe
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美光 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單 價持續下滑,整體均價季跌幅超過5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產出順利,帶動位元供給增長,使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元,季增長6.3%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務器相 關產品出貨動能表現一般,但中國地區的智能手機出貨依然強勁,因此DRAM三大廠也同步調整產品類別,持續向行動式內存
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SK海力士 DRAM
全球業界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現其對中國快速成長的半導體產業及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現已量產并且為中國唯一提供全方位技術及產品的商業光掩模廠。
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DRAM NAND
并購以后DRAM市場的“貧富差距”愈形明顯,產業結構可能掀起巨變。
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DRAM 美光
本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場走勢。結論是2016年第三季度DRAM已經平穩上漲4%~8%左右。預計在2016第四季度價格會略有下滑,但2017年成長會低于20%。
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DRAM 市場 手機 服務器 201608
摩爾定律并未失效,可能無法像以前那樣自動跳到下一世代制程,不過可以看到有很多公司在進行20 nm及以下的設計開發。
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摩爾定律 DRAM
NAND快閃記憶體受惠固態硬盤(SSD)銷售熱絡,加上智能手機搭載容量提高,帶動近月價格持續上漲,創見、威剛等模組廠營運受惠,市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何,將攸關NAND快閃記憶體價格續漲力道。
市場指出,上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁,產品功能提升帶動記憶體需求大增,加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工,帶動NAND快閃記憶體價格上漲,主流產品在1個月內漲幅超過2成。
市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫,創見表示,在漲價預期心理帶動下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
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NAND DRAM
韓國經濟日報周二報導,國營福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯電(2303)技術的加持下,已著手建造半導體廠,將藉此切入DRAM市場。
來自產業內的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠破土動工儀式,第一期工程投資規模預估來到370億人民幣,或相當于55億美元,2018年投產后每月可產出6萬片晶圓(32奈米)。
據報導,福建晉華將獲得聯電技術支援,且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
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DRAM 三星
IC Insights近日調降2016年半導體產業成長率預測至-1%,表示英國脫歐也是為產業帶來負面沖擊的原因之一…
市場研究機構IC Insights近日調降了對2016年半導體產業的成長率預測,由原先的2%下修為-1%;該機構表示,調降產業成長率預測的主要原因,是基于全球經濟表現衰弱,以及低迷不振的DRAM市場。
消 費性電子市場與半導體產業之間的連動關系越來越密切,IC Insights預期,2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%,被認為是
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半導體 DRAM
ddr5 dram介紹
您好,目前還沒有人創建詞條ddr5 dram!
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