Hot Chip 2016大會上，內(nèi)存技術突然成了一大熱點，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面，明后兩年陸續(xù)就能見到。

　　這份發(fā)展規(guī)劃主要來自存儲大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規(guī)范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。

　　DDR5內(nèi)存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。

　　美光計劃2019年量產(chǎn)DDR5，三星則計劃2018年就行動。

　　GDDR6顯存數(shù)據(jù)率將沖擊14Gbps，高于現(xiàn)在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps，電壓則是1.35V。

　　LPDDR5內(nèi)存之前其實還準備了個過渡性質(zhì)的LPDDR4X，三星、海力士都有相關規(guī)劃，速度從LPDDR4 3733Mbps提高到4266Mbps，VDDQ 0.6V、VDD 1.1V的電壓則維持不變。

　　聯(lián)發(fā)科Helio P20處理器已經(jīng)第一個支持LPDDR4X，但這么一款中端芯片搭配最強內(nèi)存有些不倫不類，而且事實上這顆處理器還沒發(fā)布呢。

　　LPDDR5的目標是做到6400Mbps的超高帶寬，VDDQ/VDD電壓要比現(xiàn)在的0.6/1.1V更低，功耗有望降低最多20%，對未來的高端手機是一大福音。

　　HBM2剛剛開始量產(chǎn)，HBM3自然還得很久，預計2019-2020年才會推出。三星和海力士都已經(jīng)投入研發(fā)，計劃將單顆容量做到最大64GB，帶寬則可達2TB/s。