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全球首款2nm芯片Exynos 2600 OpenCL跑分比驍龍X Elite高21.8%

1 月 23 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（1 月 22 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱全球首款 2nm GAA 工藝芯片 Exynos 2600 再次現(xiàn)身 GeekBench 跑分庫(kù)，在 OpenCL 中取得 24964 的高分，比高通筆記本級(jí)芯片驍龍 X Elite（20492 分）高出約 21.8%。Exynos 2600 的圖形處理單元（GPU）命名為 Xclipse 960，是業(yè)內(nèi)首款采用定制化 AMD RDNA 4 架構(gòu)的產(chǎn)品。三星官方數(shù)據(jù)顯示，相比前代 Exynos 2500 搭載
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驍龍8 Elite Gen6首發(fā)臺(tái)積電2nm工藝：蘋(píng)果A20最強(qiáng)勁敵來(lái)了

1月3日消息，臺(tái)積電官網(wǎng)顯示，臺(tái)積電2nm工藝已經(jīng)按照計(jì)劃于2025年第四季度正式投入量產(chǎn)。不出意外，蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等客戶都將在今年下半年推出2nm芯片，它們分別是A20、A20 Pro、驍龍8 Elite Gen6系列以及天璣9600，標(biāo)志著2nm時(shí)代正式到來(lái)。值得注意的是，雖然蘋(píng)果、高通下一代旗艦芯片都是2nm工藝制程，但是兩款芯片使用的工藝節(jié)點(diǎn)略有不同。據(jù)博主定焦數(shù)碼爆料，高通驍龍8 Elite Gen6采用的是臺(tái)積電N2P工藝，而蘋(píng)果A20和A20 Pro采用臺(tái)積電N2工藝，其中N2是臺(tái)積電第
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英偉達(dá)800V直流數(shù)據(jù)中心解決方案匯總

在 OCP 全球峰會(huì)上，Nvidia 將公布 Vera RubinNVL144 MGX 代開(kāi)放式架構(gòu)機(jī)架式服務(wù)器的規(guī)格，超過(guò) 50 個(gè) MGX 合作伙伴正在為此做準(zhǔn)備，以及對(duì) Nvidia Kyber 的生態(tài)系統(tǒng)支持，它連接了 576 個(gè) Rubin UltraGPU，旨在支持不斷增長(zhǎng)的推理需求。芯片供應(yīng)商：ADI 公司（ADI）、AOS、EPC、英飛凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Power Integrations、瑞薩、立锜、羅門(mén)、意法半導(dǎo)體和德州儀器。電力系統(tǒng)組件
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節(jié)省空間的3U數(shù)字式10kW電源，電壓可達(dá)100kV

XP Power宣布推出WBQ系列10kW數(shù)字式，可調(diào)節(jié)高壓電源，專為需要15kV至100kV可控輸出電壓的設(shè)備設(shè)計(jì)。這款緊湊型19英寸3U機(jī)架安裝產(chǎn)品在該功率等級(jí)下可提供最小的占地面積，適用于機(jī)架空間寶貴的場(chǎng)景（如半導(dǎo)體制造環(huán)境），可顯著節(jié)省空間。其功率可擴(kuò)展至100kW+，支持高電流工藝，并能驅(qū)動(dòng)離子注入、電子束焊接、增材制造、質(zhì)子治療及醫(yī)用回旋加速器等大型系統(tǒng)運(yùn)行。該產(chǎn)品采用全數(shù)字化控制回路，可通過(guò)直觀的用戶界面（UI）進(jìn)行配置，從而實(shí)現(xiàn)輸出負(fù)載變化的靈活控制與調(diào)節(jié)，同時(shí)支持便捷的固件修改。可編程參
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基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫(yī)療和工業(yè)技術(shù)應(yīng)用中的快速充電

基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫(yī)療和工業(yè)技術(shù)應(yīng)用中的快速充電
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Vishay推出5W小型1206封裝Power Metal Strip電阻器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip? 檢流電阻---WSLF1206，采用小型1206封裝，額定功率高達(dá)5 W，TCR低至 ± 75 ppm/°C，以及低至0.3 mΩ的極低電阻值。Vishay Dale WSLF1206額定功率是1206封裝尺寸標(biāo)準(zhǔn)電阻的20倍，功率密度 > 650 W/in2，設(shè)計(jì)師得以使用盡可能小的電阻，且無(wú)需并聯(lián)電阻，從而節(jié)省高功率電路板的空間。器件溫度系數(shù)（TCR）低，可在 -65
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XP Power為15W高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器HRF15系列新增數(shù)字監(jiān)控與控制功能

XP Power近日宣布推出15W精密高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器HRF15系列的數(shù)字版本，該版本支持通過(guò)I2C接口的PMBus?實(shí)現(xiàn)輸出電壓和電流的編程控制。這一升級(jí)滿足了精密設(shè)備自動(dòng)化與遠(yuǎn)程控制日益增長(zhǎng)的需求，適用于半導(dǎo)體檢測(cè)應(yīng)用及通用分析研究領(lǐng)域，包括質(zhì)譜分析、掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）等設(shè)備。與2025年5月推出的精密模擬版本相比，HRF15的數(shù)字界面簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成，并通過(guò)直觀的GUI縮短了設(shè)置時(shí)間，加快了產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。它還通過(guò)先進(jìn)的監(jiān)控和編程功能提高了可靠性。電源狀態(tài)標(biāo)志提供了對(duì)
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ADI Power Studio?-加速電源管理設(shè)計(jì)

概述ADI Power Studio?是一套面向應(yīng)用工程師及高級(jí)電源設(shè)計(jì)用戶的綜合性產(chǎn)品系列，能夠有效簡(jiǎn)化整個(gè)電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程，提供從初步概念到測(cè)量和評(píng)估的全程支持。Power Studio提供統(tǒng)一、直觀的工作流程，利用準(zhǔn)確的模型來(lái)仿真實(shí)際性能，并自動(dòng)生成關(guān)鍵的物料清單和報(bào)告等內(nèi)容，幫助工程團(tuán)隊(duì)更早做出更優(yōu)決策。ADI Power Studio整合了凌力爾特與美信的元器件，構(gòu)建起統(tǒng)一的器件選型目錄；同時(shí)通過(guò)豐富的工具集成優(yōu)化工作流程，并基于客戶反饋打造了現(xiàn)代化的用戶界面(UI)與用戶體驗(yàn)(UX)。產(chǎn)品系
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Analog Devices發(fā)布ADI Power Studio和網(wǎng)頁(yè)端新工具

●? ?ADI Power Studio將多種ADI工具整合成一個(gè)完整的產(chǎn)品系列，助力簡(jiǎn)化電源管理設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作。●? ?ADI Power StudioTM Planner工具有助于增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)電源樹(shù)規(guī)劃。●? ?ADI Power StudioTM Designer工具可在整個(gè)集成電路(IC)級(jí)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中提供全方位指導(dǎo)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出綜合性產(chǎn)品系列ADI Po
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書(shū)，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書(shū)，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來(lái)的顯著優(yōu)勢(shì)。這份白皮書(shū)發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目全球峰會(huì)(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會(huì)上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進(jìn)展進(jìn)行了說(shuō)明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向8
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40W超緊湊DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于空間受限的嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)合

XP Power宣布推出具有成本效益的40W DC-DC轉(zhuǎn)換器BCT40T系列，該產(chǎn)品采用業(yè)界領(lǐng)先的1“x 1”（25.4mm x 25.4mm）緊湊型封裝，專為PCB安裝而設(shè)計(jì)。這個(gè)新系列提供高功率密度和全面的功能，使其成為各種要求苛刻的工業(yè)技術(shù)、ITE和通信應(yīng)用的理想電源解決方案，在這些應(yīng)用中，空間是一個(gè)關(guān)鍵的限制因素。這款高性能BCT40T系列專為測(cè)試與測(cè)量、機(jī)器人、過(guò)程控制、分析儀器和通信設(shè)備等領(lǐng)域工作的研發(fā)工程師而設(shè)計(jì)。其超緊湊的金屬封裝具有顯著優(yōu)勢(shì)，可節(jié)省寶貴的PCB面積，并為客戶應(yīng)用電路提供
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高通的18核 Snapdragon X2 Elite Extreme在基準(zhǔn)測(cè)試中占據(jù)主導(dǎo)地位

上周，高通在年度峰會(huì)上宣布了即將推出的適用于筆記本電腦和緊湊型臺(tái)式機(jī)的 Snapdragon X2 Elite 和 X2 Elite Extreme 芯片。一些規(guī)格已經(jīng)公布（高端 Extreme 型號(hào)將包含 18 個(gè)內(nèi)核，兩個(gè)內(nèi)核的最高時(shí)鐘速度為 5 GHz），該公司做出了崇高的承諾，即性能提高 31%，同時(shí)功耗比第一代 Snapdragon X 芯片低 43%。但直到現(xiàn)在，它才展示任何基準(zhǔn)數(shù)據(jù)或支持這些說(shuō)法。我們參加了這次活動(dòng)，并能夠在該公司的超薄參考設(shè)計(jì)筆記本電腦上自己進(jìn)行一些測(cè)試。從某種意
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三星代工的2nm驍龍8 Elite Gen5被砍，廠商無(wú)人問(wèn)津

知名博主數(shù)碼閑聊站透露，由三星代工的2nm制程版本驍龍8 Elite Gen5芯片已被取消，目前沒(méi)有任何廠商計(jì)劃采用這款芯片。高通于今年9月發(fā)布的驍龍8 Elite Gen5（型號(hào)為SM8850）由臺(tái)積電負(fù)責(zé)代工，采用臺(tái)積電3nm工藝制程。目前各大廠商推出的旗艦機(jī)型均搭載了這一版本的芯片。盡管三星也為驍龍8 Elite Gen5提供代工服務(wù)，采用其SF2（2nm制程）工藝，且套片報(bào)價(jià)低于臺(tái)積電3nm版本，但由于三星過(guò)往的工藝表現(xiàn)不佳，廠商對(duì)其持謹(jǐn)慎態(tài)度，導(dǎo)致該版本芯片無(wú)人采購(gòu)。回顧歷史，三星曾代工過(guò)高通的
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Power Integrations推出太陽(yáng)能賽車(chē)專用參考設(shè)計(jì)，采用高效率氮化鎵芯片

澳大利亞達(dá)爾文及美國(guó)加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽(yáng)能賽車(chē)量身定制的參考設(shè)計(jì)套件。與此同時(shí)，37支學(xué)生隊(duì)伍已整裝待發(fā)，將參加于8月24日開(kāi)始的普利司通世界太陽(yáng)能挑戰(zhàn)賽，穿越澳洲內(nèi)陸地區(qū)。該套件型號(hào)為RDK-85SLR，采用了PI?公司一款集成PowiGaN?氮化鎵技術(shù)的芯片InnoSwitch?3-AQ。其設(shè)計(jì)靈感來(lái)自PI公司PowerPros?在線支持工程師與蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院aCentauri車(chē)隊(duì)的合作成果。后者的85號(hào)“Silvretta”挑
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Power Integrations任命Jennifer Lloyd為下一任首席執(zhí)行官

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布，Jennifer A. Lloyd博士將接替自2002年以來(lái)一直擔(dān)任首席執(zhí)行官的Balu Balakrishnan，成為公司的下一任首席執(zhí)行官。Lloyd博士曾擔(dān)任過(guò)Power Integrations董事會(huì)成員，現(xiàn)再次被任命為公司董事會(huì)成員。這兩項(xiàng)任命均于7月21日生效。自1997年以來(lái)，Lloyd博士在全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Analog Devices, Inc.擔(dān)任過(guò)一系列高級(jí)工程和業(yè)務(wù)管理職位。在此期間，她曾領(lǐng)
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