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Cirrus Logic推出先進(jìn)觸覺和傳感技術(shù)解決方案，提供更豐富的沉浸式用戶體驗(yàn)

Cirrus Logic 近日宣布推出先進(jìn)的觸覺和傳感集成電路產(chǎn)品系列，旨在利用其在低功耗、低延遲混合信號(hào)處理方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，全面提升消費(fèi)類設(shè)備的用戶體驗(yàn)。Cirrus Logic的觸覺產(chǎn)品和先進(jìn)的觸覺反饋技術(shù)可減少設(shè)備的機(jī)械控制，設(shè)計(jì)更時(shí)尚、產(chǎn)品更耐用，從而帶來全新的響應(yīng)式和沉浸式用戶體驗(yàn)。作為智能手機(jī)觸覺技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，Cirrus Logic現(xiàn)進(jìn)一步擴(kuò)展其在觸覺和傳感領(lǐng)域的專長，為車載、增強(qiáng)和虛擬現(xiàn)實(shí)、游戲、個(gè)人計(jì)算機(jī)和可穿戴設(shè)備應(yīng)用提供沉浸式的觸覺體驗(yàn)。全新Cirrus Logic CS
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東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出型號(hào)為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設(shè)計(jì)用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。并計(jì)劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級(jí)安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動(dòng)帶方波輸入信號(hào)的無刷直流電機(jī)，無需PWM控制
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Mentor 的 Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺(tái)獲得臺(tái)積電最新制程技術(shù)認(rèn)證

Mentor, a Siemens business 近日宣布，旗下系列IC設(shè)計(jì)工具獲得了臺(tái)積電(TSMC)業(yè)界領(lǐng)先的 N5 和 N6 制程技術(shù)認(rèn)證。此外，Mentor 與 TSMC 的合作現(xiàn)已擴(kuò)展到先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域， Mentor Calibre? 平臺(tái)的 3DSTACK 封裝技術(shù)將進(jìn)一步支持 TSMC 的先進(jìn)封裝平臺(tái)。TSMC 的 N5 和 N6 制程技術(shù)能夠幫助眾多全球領(lǐng)先的 IC 設(shè)計(jì)公司提高處理器的性能、縮小尺寸并降低功耗，從而更好地應(yīng)對(duì)汽車、物聯(lián)網(wǎng)、高性能計(jì)算、5G 移動(dòng)/基礎(chǔ)設(shè)施、AI等領(lǐng)域
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Diodes公司推出業(yè)界首創(chuàng)符合汽車規(guī)格的ReDriver 可透過USB Type-C支持DisplayPort

Diodes 公司近日宣布推出業(yè)界首創(chuàng)車用 10Gbps USB-C? DisplayPort? 替代 (DP-Alt) 模式線性 ReDriver? IC，符合 AEC-Q100 Grade 3 等級(jí)。DP-Alt 模式允許 DisplayPort 訊號(hào)透過 USB Type-C? 接頭傳輸。?PI3DPX1207Q 支持 8.1Gbps DP1.4 及 10Gbps USB 3.2 規(guī)格，可提供具備通透特性且與通訊協(xié)議無關(guān)的 ReDriver 能力，適合各種汽車產(chǎn)品應(yīng)用，包括信息娛樂系統(tǒng)與儀
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瑞薩電子推出面向工業(yè)4.0、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)傳感器應(yīng)用的先進(jìn)信號(hào)調(diào)節(jié)器IC

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出ZSSC3240傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器（SSC）。作為瑞薩領(lǐng)先SSC產(chǎn)品組合的最新成員，ZSSC3240為電阻式壓力傳感器和醫(yī)用紅外溫度計(jì)等傳感器應(yīng)用帶來了高精度、高靈敏度和靈活性。此款SSC新產(chǎn)品具有一流性能和速度，以及高達(dá)24位的模數(shù)轉(zhuǎn)換（ADC）分辨率。憑借靈活的傳感器前端和廣泛的輸出接口，ZSSC3240可應(yīng)用于幾乎所有類型的電阻式和絕對(duì)電壓傳感器元件，幫助客戶基于單個(gè)SSC設(shè)備開發(fā)完整的傳感平臺(tái)。上述性能配合小巧尺寸，使得ZSSC3240非常適用于
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貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品

作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應(yīng)用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實(shí)現(xiàn)一個(gè)萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
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學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)

EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對(duì)器件可靠性及基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應(yīng)用，包括面向人工智能的高功率密度運(yùn)算應(yīng)用，面向機(jī)械人、無人機(jī)及車載應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設(shè)計(jì)師利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
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IC Insights：全球芯片出貨量恐首度出現(xiàn)連續(xù)兩年衰退

研究機(jī)構(gòu)IC?Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，預(yù)計(jì)2020年全球芯片出貨量將下降3%，這意味著繼去年衰退6%后，芯片出貨量在今年將再度陷入下滑的窘境。如果這一預(yù)測成真，這將是IC行業(yè)首度出現(xiàn)連續(xù)年度的出貨量下降。　IC?Insights指出，從2013年到2018年，集成電路出貨量一直處于穩(wěn)定的增長軌跡。其中，2013年成長8%，2014年成長9%，2015年成長5%，2016年成長7%，2017年開始更創(chuàng)下雙位數(shù)成長達(dá)15%，2018年的成長10%，在歷經(jīng)2017年和2018年的雙
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Maxim發(fā)布下一代SIMO電源管理IC，使可穿戴及耳戴式設(shè)備方案尺寸減半、電池壽命延長20%

Maxim Integrated Products, Inc 近日宣布推出MAX77654單電感多輸出(SIMO)電源管理IC (PMIC)，幫助消費(fèi)類產(chǎn)品開發(fā)人員將方案尺寸減小50%，電池壽命延長20%。這款下新一代SIMO PMIC僅采用單個(gè)電感即可提供三路輸出，效率高達(dá)91%，比傳統(tǒng)的四芯片系統(tǒng)提高16%。由于方案尺寸大幅縮小，與傳統(tǒng)電源方案相比，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠在可穿戴、耳戴式及其他小尺寸消費(fèi)類產(chǎn)品中集成更多功能。MAX77654基于Maxim Integrated的高可靠性SIMO PMIC專利技
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瑞森高P無頻閃IC降價(jià)再升級(jí)，重力出擊LED無頻閃市場！

導(dǎo)讀：近幾年，LED燈頻閃問題日漸備受關(guān)注。央視3·15稱，LED燈的“頻閃”問題會(huì)導(dǎo)致頭痛和眼疲勞、引發(fā)光敏性癲癇病、導(dǎo)致視力下降等問題。隨后不久，中共中央總書記、國家主席、中央軍委主席習(xí)近平作出重要指示指出，我國學(xué)生近視呈現(xiàn)高發(fā)、低齡化趨勢(shì)，嚴(yán)重影響孩子們的身心健康，這是一個(gè)關(guān)系國家和民族未來的大問題，必須高度重視，不能任其發(fā)展。2018年教育部等八部門印發(fā)《綜合防控兒童青少年近視實(shí)施方案》，將防控兒童青少年近視上升為國家戰(zhàn)略。為保護(hù)青少年視力，企校聯(lián)動(dòng)，多地學(xué)校陸續(xù)將校園中的LED燈管更換成無頻閃L
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新移動(dòng)時(shí)代下的IC設(shè)計(jì)

加速汽車IC設(shè)計(jì)周期自動(dòng)駕駛汽車（AV）正在將我們推入一個(gè)全新的移動(dòng)時(shí)代，為了滿足AV的高性能和低功耗要求，如今的SoC設(shè)計(jì)者需要為AI算法優(yōu)化定制的硅架構(gòu)，使用傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法十分耗費(fèi)時(shí)間，于是HLS（高等級(jí)邏輯綜合）開始步入人們眼簾。HLS能夠使用SystemC或C++對(duì)設(shè)計(jì)功能進(jìn)行高級(jí)描述，并將它們綜合到RTL中。在更高抽象層次上進(jìn)行設(shè)計(jì)，通過將芯片功能規(guī)約與實(shí)現(xiàn)規(guī)約相分離，加速初始設(shè)計(jì)的完成?(圖1)。這種方式能將設(shè)計(jì)時(shí)間縮短至幾個(gè)月，所需代碼僅是傳統(tǒng)RTL流程的一半。在不影響設(shè)計(jì)進(jìn)度的情
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EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列

日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個(gè)、合共14個(gè)教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個(gè)教程的視頻播客系列旨在為功率
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TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和強(qiáng)大的保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種
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什么是運(yùn)算放大器？

許多教材和參考指南將運(yùn)算放大器（運(yùn)放）定義為可以執(zhí)行各種功能或操作（如放大、加法和減法）的專用集成電路（IC）。雖然我同意這個(gè)定義，但仍需注重芯片的輸入引腳的電壓。當(dāng)輸入電壓相等時(shí)，運(yùn)算放大器通常在線性范圍內(nèi)工作，而運(yùn)算放大器正是在線性范圍內(nèi)準(zhǔn)確地執(zhí)行上述功能。然而，運(yùn)算放大器只能改變一個(gè)條件來使輸入電壓相等，即輸出電壓。因此，運(yùn)算放大器的輸出通常以某種方式連接到輸入，這種通常被稱為電壓反饋。在本文中，我將解釋一個(gè)通用電壓反饋運(yùn)算放大器的基本操作，并請(qǐng)您參閱其他內(nèi)容以了解更多信息。
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢(shì)，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率（3.4eV對(duì)比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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