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gan ic 文章 最新資訊

IC業(yè)頂級盛會·2019集微半導(dǎo)體峰會：探求中國芯突圍之道

  • 中國芯片領(lǐng)域的頂級盛會——2019集微半導(dǎo)體峰會在廈門圓滿舉辦，本次峰會以“新起點(diǎn)、再起航”為主題，大會從18日到19日共持續(xù)2天。峰會共有400多位行業(yè)CEO、200多位投資機(jī)構(gòu)合伙人蒞臨參會。周子學(xué)、丁文武、魏少軍、蔣尚義、張延川、刁石京、趙海軍、孟樸、鄭力、陳大同、黃慶、潘建岳、孫玉望等中國半導(dǎo)體領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)家、投資人出席了本次集微半導(dǎo)體峰會。2019年集微半導(dǎo)體峰會舉辦了中國最高級別的“芯力量”投融資活動(dòng)、第二屆集微政策峰會，同時(shí)，舉辦了清華校友會、科大校友會和西電校友會活動(dòng)，打造半導(dǎo)
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羅姆推業(yè)界首個(gè)內(nèi)置自診斷功能的電源監(jiān)控IC 可用于自動(dòng)駕駛汽車和ADAS

  • 據(jù)外媒報(bào)道，近日，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布推出一款電源監(jiān)控集成電路（IC） - BD39040MUF-C，該IC內(nèi)置自我診斷功能（BIST，Built-In Self Test），可支持功能安全，適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛汽車和ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）的傳感器和攝像頭等需要防故障措施的車載應(yīng)用電源系統(tǒng)。
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相控陣波束成形IC簡化天線設(shè)計(jì)

  • 為提高性能，無線通信和雷達(dá)系統(tǒng)對天線架構(gòu)的需求不斷增長。只有那些功耗低于傳統(tǒng)機(jī)械操縱碟形天線的天線才能實(shí)現(xiàn)許多新的應(yīng)用。除了這些要求以外，還需要針對新的威脅或新的用戶快速重新定位，傳輸多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以最終減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎(chǔ)上，本文將介紹
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Cree積極擴(kuò)廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察

  • 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強(qiáng)化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴(kuò)建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴(kuò)建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
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IC Insights：美國仍主導(dǎo)全球芯片市場，份額超50%

  • 近日，美國市場調(diào)研公司IC Insights發(fā)布了一份芯片市場數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)報(bào)告，據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，2018年美國芯片公司依然主導(dǎo)了整個(gè)芯片市場，全球市場份額占比超過50%。美國無晶圓廠芯片公司占據(jù)全球68%的市場份額，而美國有晶圓廠芯片公司占據(jù)了全球46%的市場份額，兩者合計(jì)市場份額達(dá)52%。
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IC Insights：三大因素阻截，傳感器和執(zhí)行器市場逐漸降溫

  • 近日，IC Insights在最新報(bào)告中指出，傳感器和執(zhí)行器市場在經(jīng)歷了兩年強(qiáng)勁增長后，因庫存下降、單位出貨量減少......
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破解中美貿(mào)易變量　臺系IC設(shè)計(jì)2Q力拱新品

  • 中美貿(mào)易戰(zhàn)再度升溫，臺系IC設(shè)計(jì)業(yè)者多表達(dá)已作好客戶訂單趨向保守的準(zhǔn)備，但從2018年至今，面對中美貿(mào)易戰(zhàn)所不斷滋生的變量，加速且加值推出新產(chǎn)品已成為各家IC設(shè)計(jì)業(yè)者的最佳防御法寶。
  • 關(guān)鍵字： 中美貿(mào)易  IC  2Q  

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

  • 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)

  • 　　MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。　　隨著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計(jì)
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MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)敏捷性

  • 　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構(gòu)的高效設(shè)計(jì)，以及頂端和底端安
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GaN逐步向RF領(lǐng)域的發(fā)展之路

  • 目前，氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用，其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個(gè)角落滲透，而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大，不容小覷。因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)從太空、軍用雷達(dá)到蜂窩通信的應(yīng)用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關(guān)度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時(shí)代的到來，它可能會更加引人關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： GaN  RF  

2019年IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇和趨勢在哪？

  • 2018年，是中國IC產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的一年。這一年，IC從一個(gè)行業(yè)的專有詞匯升溫成為全民關(guān)注的熱點(diǎn)話題。這一年，我們對中國芯有思考，對5G、AI和IoT技術(shù)有期許，對下一代移動(dòng)終端有憧憬。
  • 關(guān)鍵字： IC  AI  

射頻前端市場潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢明顯

  • 目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字： 射頻  GaN  

盤點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
  • 關(guān)鍵字： 芯片，GaN  

第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。　　然而，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實(shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  SiC  GaN  
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