文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術在高壓 LED照明 中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅動器與高電壓GaN晶體管結合，簡化了設計并提高了功率密度。事實證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強度放電 (HID
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Digikey LED照明 GaN
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業，物流需求持續擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業內企業開始考慮引進智慧物流系統，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執行工作。然而，也有很多企業擔心安全性和系統管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術和模塊已經逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
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202411 LiDAR 激光雷達 智慧物流 羅姆 激光器 GaN
SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉換器
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
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Mouser GaN
新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，
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德州儀器 氮化鎵 GaN
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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SiC
壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經冷凝器，節流閥和蒸發器換熱，實現車內外的冷熱交換。傳統燃油車以發動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發動機，以電池為動力，通過逆變電路驅動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉動，實現空調的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內的環境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
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壓縮機 汽車空調 SiC
在應對消費類電器、樓宇暖通空調(HVAC)系統和工業驅動裝置的能耗挑戰中，業界積極響應，通過實施諸如季節性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統能效評級體系。變頻驅動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統提供出色的系統效率，特別是在這些系統具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
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202409 三相集成GaN 電機驅動器 GaN
意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統的關鍵部件逆變器特別優化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創新成果，履行創新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業的未來發展。我們將繼續在器
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STPOWER SiC MOSFET 驅動逆變器
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