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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長

  • ●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。英
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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計(jì)

  • 英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計(jì)控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當(dāng)前柵極驅(qū)動器性能正不斷演
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臺積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

  • 在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預(yù)計(jì)將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）高達(dá)44%。在此高速擴(kuò)張背景下，領(lǐng)先晶圓代工廠的戰(zhàn)略調(diào)整正在重塑GaN產(chǎn)業(yè)鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務(wù)，但已通過技術(shù)授權(quán)協(xié)議，將其深厚的技術(shù)積累轉(zhuǎn)移給合作伙伴——世界先進(jìn)（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產(chǎn)
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SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

  • 汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅(qū)動電機(jī)，并生成驅(qū)動電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅(qū)動電機(jī)之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，進(jìn)而精準(zhǔn)調(diào)控電機(jī)的轉(zhuǎn)速、扭矩等關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實(shí)現(xiàn)更快的充電速度與更高的系
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功率電路進(jìn)階教程：SiC JFET 如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過
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功率電路進(jìn)階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電流、應(yīng)對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關(guān)注的是發(fā)熱問題。 所有半導(dǎo)體在電流流過其中時都會產(chǎn)生熱量。 這種熱量可以用導(dǎo)通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當(dāng)然，
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聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

  • 輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運(yùn)行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險若未及時管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達(dá)到前所未有的水平，對保護(hù)裝置的響應(yīng)速度與耐受能力提出了更嚴(yán)苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關(guān)鍵需求。在過去很長一段時間里，機(jī)械斷路器（EMB）始終是這類保護(hù)場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應(yīng)速度的要求不斷升級，傳統(tǒng)機(jī)械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態(tài)斷路器（SSCB
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

  • 在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運(yùn)行， 效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、 配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進(jìn)行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
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Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程

  • 全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進(jìn)的功率半導(dǎo)體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領(lǐng)域的發(fā)展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關(guān)頻率與電壓下穩(wěn)定運(yùn)行的碳化硅（SiC）功率器件。
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SiC市場發(fā)展周期修正

  • Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進(jìn)入調(diào)整周期。汽車市場放緩導(dǎo)致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。 利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔(dān)憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預(yù)計(jì)到2030年設(shè)備收入將接近100億美元。行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。設(shè)備資本支出在2023年達(dá)到約30億美元的峰值，導(dǎo)致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。20
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)

  • 本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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借助TOLL GaN突破太陽能系統(tǒng)的界限

  • 太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
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技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

  • 太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
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美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴

  • ●? ?美國國際貿(mào)易委員會的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國●? ?該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實(shí)現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用英飛凌300mm GaN技術(shù)美國國際貿(mào)易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利1。此外，在初步裁定中，美國國際貿(mào)易委員會確認(rèn)，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中
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ST宣布用于運(yùn)動控制的GaN集成電路平臺

  • 意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動工具和工廠自動化等產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動。意法半導(dǎo)體應(yīng)用專用產(chǎn)品部門總經(jīng)理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺通過引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運(yùn)動控制應(yīng)用中的寬帶隙效率提升。”“這些新設(shè)
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