意法半導體發布了新的智能電力組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以滿足嚴格的生態設計規范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產品的電機驅動。?意法半導體應用專用產品部總經理Domenico Arrigo表示：“我們的新GaNSPIN系統封裝平臺通過引入優化系統性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應
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意法半導體 GaN ICs 運動控制
全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達克股票代碼：ALGM)，與全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達成戰略合作，推出了一款開創性的?4.2kW?全?GaN?參考設計，該設計采用了?Allegro?的先進柵極驅動器技術和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創新解決方
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Allegro 英諾賽科 GaN AI數據中心電源 數據中心電源
截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略材料，預示著由高性能計算應用驅動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態上展現出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據包括CIP
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硅質原材料 6英寸 SiC
電力電子產品的銷售額預計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產量的增加和數據中心的增長，由于人工智能的采用，數據中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程、減少電費、減少供暖和減少碳足跡。由于卓越的效率帶來的這些優勢，基于寬禁帶半導體的器件越來越多地被采用。到目前為止，基于 SiC 的 MOSFET 創造了最多的收入，其中 MOSFET 因贏得電動汽車部署而成為頭條新聞。然而，盡管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它們包括
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p-GaN 屏蔽 開關速度
安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現公司在人工智能（AI）數據中心應用中覆蓋從電網到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術領域擁有數十年的創新積累，為固態變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應用提供行業領先的解決方案。通過整合這些技術，安森美將成為少數幾家能夠以可擴展、實用的設計，滿足現代AI基礎設施嚴苛電力需求的公司
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Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場預計將達到 30 億美元，2024 年至 2030 年復合年增長率為 42%。消費電子產品是領先的采用者，功率氮化鎵繼續在快速充電器領域占據主導地位。盡管與 xEV 市場放緩相關的短期延遲，但汽車和移動出行領域正在出現新興勢頭。預計 2024 年至 2030 年間，xEV GaN 需求將以 73% 的復合年增長率增長。 數據中心正在加速氮化鎵的發展，因為它們對高效電力系統的需求，而氮化鎵正在成為關鍵的推動者。與電信一起，數據中心在
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意法半導體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅動器是為工業或電信設備母線電壓供電系統、72V電池系統和110V交流電源供電設備專門設計，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩壓器，為上下橋臂提供6V柵極驅動信號，拉電流和灌電流路徑采用分開獨立設計，可以靈活控制GaN 的開通和關斷。STDRIVEG210 主打功率變換應用，例如，服務器電源、電池充電器、電源適配器、太陽能微型逆變器和功率優化器、LED燈具、USB-C電源。諧振和硬開關兩種拓撲均適用，300ns啟動時
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意法半導體 半橋柵極驅動器 GaN
近年來，工業電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯MOSFET并不能節省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業界對GaN器件性能表現的關注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅動進行了優化。借助
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ADI LTspice GaN
據相關報道，隨著NVIDIA宣布AI服務器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領域迎來了新的技術競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關注的核心。近年來，多家企業積極投入GaN技術的研發，使其應用范圍從傳統的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領域仍占據主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務器中的表現也日益受到重視。部分廠商甚至已開發出適用于1,000V以上環境的GaN技術，展現出廣闊的應用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統矽材料整合，這
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GaN AI服務器 電源芯片
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。與以往封裝產品相比，新產品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產品的
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ROHM SiC MOSFET
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優勢。這份白皮書發布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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Imec 啟動了一項新的開放式創新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導體和代工生態系統的讀者，這一發展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關鍵轉變，這可能會加速氮化鎵在汽車、數據中心和可再生能源應用中的采用。將氮化鎵擴展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計劃是 imec GaN
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Imec 300mm GaN 下一代功率器件
2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰略合作協議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統，聯合研發智能集成氮化鎵（GaN）相關產品。全新開發的智能GaN產品將依托三方技術積淀，提供更可靠的驅動及GaN保護集成方案，進一步提升系統功率密度。三方還將協同推動相關解決方案的產業化落地，助力新能源汽車產業的可持續發展與價值提升。簽約儀式現場合影見證代表：圖中：聯合電子副總經理 郭曉
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●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執行官伊野和英（右）全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現產品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環節的便利性。英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter
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