斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應用。與早期的熔斷器設計相比，斷路器具有顯著優勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術的發展，固態斷路器正占據更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關在正常運行期間具有更低的通態損耗和更高的效率
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安森美 SiC JFET 固態斷路器
隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續航里程的期望持續攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創新，更要深入動力系統架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉變能實現充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設計挑戰。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
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安森美 SiC 電動汽車 800V
摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續增長，部分原因是人們對更具可持續性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產品將微型逆變器與小型電池儲能系統結合在一起），這兩種技術的普及率可能會進一步提升。本技術文章概述了一種新型單級轉換器（稱為“cyclo 轉換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實施更加高效，體積更小，同時還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
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202509 德州儀器 GaN Cyclo 微型逆變器 便攜式電源
電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯的現象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統，以實現高效的能源轉換、電網集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現在對高性能
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SiC GaN 電力電子
_____動態導通電阻（RDS(on)）是電源轉換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數。然而，關于其測量技術的知識體系仍相對較新。傳統的動態RDS(on)測量技術依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術，無需使用鉗位電路。測量動態RDS(on)的挑戰動態RDS(on)是指FET在開關過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
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動態導通電阻 RDS(on)測量 泰克 GaN Tektronix
GaN 是近日半導體市場的熱點詞匯之一。
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GaN
中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝 SiC MOSFET
據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
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電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
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1.簡介微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PFC），將光伏電池板提供的直流電轉換為通常在 400VDC 左右的臨時直流總線。然后，根據國家或地區的電網情況，將直流總線轉換為交流電壓 (110VAC..230VAC)。功率級別過去通常在 300-400W 之間，但最近也出現了每個輸入功率高達 600W 以及多輸入系統的實施。微型逆變器傳
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與傳統硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構建在單個芯片上，而不是連接單獨的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺上構建這些系統，這些平臺是構建在其之上的其他一切的基礎。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
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GaN 功率IC 功率密度
幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、空間和功耗節省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現狀，該 FET 專為要求苛刻的系統而設計，從數據中心的 AI 服務器電源和不間斷電源 （
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瑞薩電子 功率 FET GaN 千瓦級
隨著全球對能源可持續性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統需求持續攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。混合串式逆變器架構：從模塊到系統典型的混合串式逆變器通過穩壓直流母線互聯各功能模塊（圖1），核心子系統包括：●單向DC/DC轉換器：執行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優化能量捕獲；●雙向DC/
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TI IGBT GaN 串式逆變器
在光伏系統中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統設計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅動與電源環路優化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本的全面突破。電子電氣設備快速發展，需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說，要縮減電費支出或助力實現綠色可持續的未來，太陽能都是不錯的選擇，而半導體在其中發揮著重要作用。適用于光伏應用的緊湊型高效電源轉換器既能幫助用戶減少室內占用面積，又能節省成本。氮化鎵 (GaN
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TI GaN 光伏充電控制器
拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
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