碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
本文要點? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經常用于一些轉換器和驅動器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個行業。氮化
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GaN
近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛星通信應用開發新的GaN器件產品線并實現商業化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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Guerrilla RF Gallium GaN
7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專有且經過生產驗證的功率氮化鎵（GaN）技術及IP產品組合，以突破汽車、物聯網和人工智能（AI）數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進一步鞏固公司對大規模生產GaN技術的決心，該技術提供多種優勢，可幫助數據中心滿足不斷增長的電力需求，
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晶圓代工 格芯 GaN
6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET產品已經通過車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC
MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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瞻芯電子 SiC MOSFET 車規認證
6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器（TI）成立創新聯合實驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關系，亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經驗及創新技術，強化新一代電動車電源系統的功率密度和效能等優勢，增強臺達在電動車領域的核心競爭力。臺達交通事業范疇執行副總裁及電動車方案事業群總經理唐修平表示：“透過與TI成立創新聯合實驗室，運用TI在數位控制及GaN領域豐富經驗與技術優勢，提升電動車電源系統的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術交流及合作，以更具前瞻
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臺達電子 TI GaN
據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產業在純電動汽車應用的驅動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務器等領域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產業營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關鍵的車用SiC
MOSFE
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SiC 功率元件 ST
隨著全球對于電動汽車接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來十年將會迎來全新的增長契機。預計將來，功率半導體的生產商與汽車行業的運作方會更踴躍地參與到這一領域的價值鏈建設里。SiC 作為第三代半導體以其優越的性能，在今年再次掀起風潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺被認為具有戰略性意義。SiC 具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點，是良好的半導體材料，目前已經在汽車電子、工業半導體等領域有
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SiC
在純電動汽車應用的驅動下，根據TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產業保持強勁成長，但2024年純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業需求走弱，預估今年全球SiC功率組件產業營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關鍵的車用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
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純電車 SiC 功率組件 TrendForce
根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
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GaN 車用功率器件 Transphorm SiC
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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SiC MOS 碳化硅 MOSFET
●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率?！? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統時通常面臨的許多設
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德州儀器 GaN IPM 高壓電機
眾所周知，SiC作為一種性能優異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統Si IGBT相比，SiC材料的優異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統的發展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
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低導通電阻 SiC 大電流 高功率
汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發總監Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
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SiC 功率器件 溝槽結構測量
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN異質結，目前市面上還未出現G
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氮化鎵 GaN 結構 制造工藝
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