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gan+sic 文章 最新資訊

SiC將達23億美元規模，技術精進是主攻方向

  • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

Cree積極擴廠開發功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術發展待觀察

  • 全球SiC晶圓市場規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
  • 關鍵字： Cree  射頻  GaN on SiC磊晶技術  

支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術

  • 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優勢實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
  • 關鍵字： 德州儀器  600V氮化鎵（GaN）功率器件  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。　　Strata Developer S
  • 關鍵字： 安森美  SiC   

集邦咨詢：需求持續擴張，2019年中國功率半導體市場規模逾2,900億元

  • 　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。　　集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
  • 關鍵字： IGBT  SiC   

MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產能，支持5G無線網絡建設

  • 　　MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產能，200mm硅基GaN按需擴產。該擴產計劃旨在支持全球5G電信網建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協議。　　隨著全球推出5G網絡并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產品需求預計
  • 關鍵字： MACOM  GaN  

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
  • 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。　　SIC1182K可在125°C結溫下提供8
  • 關鍵字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市場趨勢及應用動向

  • 介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
  • 關鍵字： SiC  市場  應用  汽車  201903  

MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現領先的設計敏捷性

  • 　　全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產品組合。該寬帶PA模塊經過優化改良，適用于陸地移動無線電系統(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰術通信和電子對抗 (ECM) 領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
  • 關鍵字： MACOM  GaN  

ST將收購Norstel 55％股權，擴大SiC器件供應鏈

  • 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
  • 關鍵字： ST  Norstel  SiC  

GaN逐步向RF領域的發展之路

  • 目前，氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用，其優勢也在向射頻/微波行業應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關注。
  • 關鍵字： GaN  RF  

射頻前端市場潛力巨大 GaN發展優勢明顯

  • 目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優勢。
  • 關鍵字： 射頻  GaN  

盤點2018年全球電子產業最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整個產業在技術上也是節節攀升，2018年可以說是產業高速發展的一年，全球電子產業也產生了眾多技術突破。
  • 關鍵字： 芯片，GaN  
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