high-frequency(hf) 文章 最新資訊
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息,據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術,運行效率得以提升。根據IT之家之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA(高數值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經接收市場首套具有0.55數值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機,預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下,臺積電則采取更加謹慎的策略,業界預計臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術,以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字: 英特爾 High-NA EUV 臺積電
基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆漿機輔助電源方案
- 一:項目背景:家電客戶使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導測試中,低頻段超標需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動特性解決問題。二:頻率抖動基本原理開關電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開關電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測試結果中可以發現,開關電源在開關時刻通常容易超過EMI 限值,而在其它頻率點上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開發新的EMC 技術院如何通過各種方式降低開關時刻的EM
- 關鍵字: ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆漿機
SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術,并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字: SK海力士 High-k Metal Gate
HF/VHF數字調制多功能發射機,附完整硬件方案和器件選型
- 本項目主要的內容是:設計制作一臺能工作在HF及VHF波段的數字調制發射機,能提供AM, FM,DSB,SSB等語音通信調制模式,及ASK,FSK,PSK等數據通信調制模式.
- 關鍵字: HF/VHF 數字調制多功能發射機 V2pro DAC
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