英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 

相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。

業界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驅動更精細的曝光尺寸，這會加速投影光學器件和光罩的磨損，抵消了更高產能的優勢。

而臺積電早在 2019 年就開始在芯片量產中使用 EUV 光刻機，雖然比三星晚了幾個月，但是比英特爾早了幾年的時間。當前，英特爾希望在 High-NA EUV 領域搶先三星和臺積電，以獲得一定的技術和戰略優勢，增加客戶的青睞程度。 

未來，隨著臺積電采用 High-NA EUV 光刻機，晶圓代工廠商先進制程技術之爭又將如何發展，則需要后續持續觀察。