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hyper-na euv 文章 最新資訊

EUV蓄勢待發 Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學系統

  •   德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統。該公司已使EUV光學系統達到了生產要求。   光學系統是EUV設備的核心模塊,首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前,美國公司Cymer完成了EUV光源的開發,EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸,提高生產效率。   據Carl Zeiss 介紹,目前出貨的光學系統已經研發了約15年。
  • 關鍵字: ASML  EUV  光刻設備  

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  •   對于極紫外(EUV)光刻技術而言,掩膜版相關的一系列問題是其發展道路上必須跨越的鴻溝,而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上,針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論,并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
  • 關鍵字: 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

22納米后EUV光刻還是電子束光刻?市場看法存分歧

  • 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米,不過,22納米以下究竟哪種技術得以出頭,爭議不斷。據了解,臺積電目前正積極研發22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案,并已有具體成果,但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示,目前已有數家客戶下單,最快2009年便可出貨,但哪種技術最終將「一統江湖」,尚未有定論。     ASML表示,目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米,約是248波長的KrF顯影設備的15分之1,盡管浸潤式顯
  • 關鍵字: 消費電子  EUV  電子束  消費電子  

尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

  •  尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開口數(NA)為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。    這家大型半導體廠商的名字,尼康沒有公布,估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。    作為全折射型液浸曝光設備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術,能夠實現很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩定性的問題,據稱利用名為“Local-fill(局部
  • 關鍵字: NA  尼康  嵌入式系統  
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