經過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現提前投產。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區內看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產步伐。
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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英特爾 NAND
NAND快閃記憶體受惠固態硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續上漲，創見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續漲力道。
市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁，產品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產品在1個月內漲幅超過2成。
市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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NAND DRAM
因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發價在1個月期間內飆漲22%。
報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。
64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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東芝 NAND
有關中國半導體業發展的討論已經很久了，似乎路徑已經清晰，關鍵在于執行，以及達成何種效果。受現階段產業大環境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產業的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業發展需要采用研發、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
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半導體 NAND
備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
三星(Samsung)早在2015年8月就發布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發現其蹤影(如圖1)。
圖1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優勢。
三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層
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三星 3D NAND
三星公司已經開始量產其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業級SSD(PM1633a)等SSD產品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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三星 V-NAND
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優點，對于業界積極發展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業革命的技
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3D NAND 半導體
第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態硬碟(SS
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NAND Flash
全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國。
根據SEMI的統計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。
包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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晶圓 NAND
據韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
barron`s.com16日報導，JP摩根發表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。
另外，三星也將善用Line
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三星 NAND
中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與
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半導體 NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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