據韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。

　　barron`s.com16日報導，JP摩根發表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。

　　另外，三星也將善用Line 17廠在二樓的空間，于明年投產3D NAND。依據上述假設，JP摩根估計三星明年底的3D NAND月產能將攀升至22萬片(西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line 17廠近4萬片)，等于是比今年底的月產能(16萬片)擴充37.5%，并占業界總體產能的12%。

　　RW Baird分析師Tristan Gerra已于5月31日發表研究報告指出，三星可能會在今年下半年把一大部分的DRAM產能轉移到NAND型快閃存儲器，同時將18 納米制程產能初步拉高。

　　Gerra認為，下半年NAND的產業市況相當樂觀，主要是拜iPhone 7的儲存容量增加(該款智能機應會增添256GB版本)、PC加速采納固態硬碟(SSD)之賜。他說，這會讓NAND定價在下半年穩定走揚。

　　?半導體設備業龍頭廠商應用材料 (Applied Materials Inc.)在其財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉到NAND型快閃存儲器，估計今年下半年DRAM的資本支出會年減至少25%，NAND則會年增35%。