mosfet 文章最新資訊

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。　　數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
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飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列

提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問(wèn)題。此外，這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性?xún)r(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線(xiàn)路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細(xì)介紹了熱插拔電路基礎(chǔ)，以及要求使用系統(tǒng)保護(hù)與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實(shí)現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時(shí)，我們?yōu)槟榻B了一種框架
關(guān)鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導(dǎo)體、德州儀器、TI

IR推出優(yōu)化版車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車(chē)用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
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詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

汽車(chē)上許多組建的多元應(yīng)用，從車(chē)上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車(chē)所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車(chē)上電子
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案

標(biāo)簽：電源諧振轉(zhuǎn)換器高壓電源直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來(lái)越多，設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來(lái)越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字：同步 MOSFET 控制方案檢測(cè) 電壓電源轉(zhuǎn)換效率定時(shí)

功率器件的新時(shí)代汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)

過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷?chē)電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件汽車(chē)電子

MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關(guān)鍵字： MOSFET 雙峰效方法

用于輔助電路分析的示波器數(shù)學(xué)功能

關(guān)鍵字：數(shù)字示波器數(shù)學(xué)功能輔助電路分析 MOSFET

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算方法

Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA436DJ

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

前言近年來(lái)，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀(guān)念逐漸受到重視，更造...
關(guān)鍵字：高效能 Power MOSFET

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
關(guān)鍵字： MHP技術(shù) 鋰電池電路保護(hù) MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]