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VD-MOSFET技術(shù)社區(qū)

VD-MOSFET

VD-MOSFET技術(shù)社區(qū)為您提供最新的VD-MOSFET相關(guān)技術(shù)資訊、VD-MOSFET的技術(shù)資料、VD-MOSFET的電路設(shè)計方案、VD-MOSFET的視頻資料、VD-MOSFET的相關(guān)元器件資料以及VD-MOSFET的技術(shù)應(yīng)用。

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VD-MOSFET資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構(gòu)高功率生態(tài)

在電動汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來功率需求爆發(fā)式增長的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領(lǐng)域進(jìn)一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項(xiàng)專注于下一代汽車動力MOSFET技術(shù)的新長期協(xié)議。該交易重點(diǎn)在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

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VD-MOSFET專欄

2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術(shù)實(shí)力與解決方案在功率電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET的選擇是決定產(chǎn)品效率、可靠性和成本的關(guān)鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進(jìn)一步提高，工程師面臨的選型挑戰(zhàn)也日益復(fù)...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關(guān)速度不夠?qū)е鹿β蕮p失及解決方案

MOSFET（場效應(yīng)晶體管）廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路，特別是在高效電力電子和開關(guān)電源設(shè)計中。其高速開關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而，在某些應(yīng)用中，由于MOSFET開關(guān)速度不足，可能導(dǎo)致功率損失增大，進(jìn)而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優(yōu)化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達(dá)1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術(shù)詳解與選型應(yīng)用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護(hù)電路設(shè)計實(shí)戰(zhàn)解析-ASIM阿賽姆

一、保護(hù)電路核心架構(gòu)主流方案采用MOS管與三極管組合結(jié)構(gòu)。三極管作為檢測元件，當(dāng)電流異常時快速調(diào)整MOS管柵源電壓，形成動態(tài)限流機(jī)制。該架構(gòu)響應(yīng)時間可達(dá)毫秒級，在調(diào)光器應(yīng)用中可有效防止燈泡爆裂。二、設(shè)計要點(diǎn)與參數(shù)計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異?；蚴Э氐脑蚺c對策

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET 以其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐蒑OSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

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基于功率MOSFET設(shè)計考量

如何為WLED構(gòu)建一個RGB PWM LED驅(qū)動程序

線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設(shè)計

IGBT工作原理解析

四種最常用的電子元器件的參數(shù)解析

MOSFET和三極管的區(qū)別在哪？你知道嗎？

高頻變壓器的常用知識，你知道嗎？

如何為用于設(shè)備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件

VD-MOSFET資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

安森美 NVHL040N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

安森美 NVHL020N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

安森美車用NVHL160N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

MOSFET管的驅(qū)動電路設(shè)計資料總結(jié)

MOSFET 驅(qū)動電路 2025-01-21 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應(yīng)用介紹

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品綜述

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務(wù)器的應(yīng)用指南

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

TOSHIBA東芝TPH1500CNH產(chǎn)品規(guī)格書datasheet

MOSFET 2024-11-13 立即下載

TOSHIBA東芝TPN11003NL產(chǎn)品規(guī)格書datasheet

MOSFET 2024-11-13 立即下載

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VD-MOSFET論壇

07-16 永源微AP70H06NF-60VN-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

芯美力科技|瀏覽：3348|回復(fù)：0| 芯美力科技 2025-07-16 11:03:43

07-15 永源微APJ14N65D-650VN-Channel增強(qiáng)模式MOSFET

芯美力科技|瀏覽：3061|回復(fù)：0| 芯美力科技 2025-07-15 15:28:08

07-04 永源微APM-AP1N50MI650VN通道增強(qiáng)模式MOSFET

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02-10 超高壓MOS在輔助電源上的應(yīng)用

18752004270|瀏覽：1536|回復(fù)：1| xqh518 2025-02-17 19:24:26

01-05 降低MOSFET損耗同時提升EMI性能

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01-05 淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

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