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sic技術社區

SiC

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能。查看更多>>

全部資訊專欄資料視頻電路論壇

sic資訊

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅動IC，加速SiC方案設計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能...

SiC 電動汽車 2026-01-27

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障...

安森美固態斷路器 2026-01-19

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業能源管理技術新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創新與系統優化上的深度融...

Melexis 邁來芯 2026-01-13

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sic專欄

是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態特性

第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業電源、軌道交通等領域展現出顯著優勢。然而，SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態測試的挑戰：開關速度可達納秒級，電壓電流變化率（...

是德示波器精準測量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量應用于主驅，產能達9000片/月

8月19日晚，功率半導體IDM龍頭士蘭微(600460)發布半年度業績報告，2024年上半年營業收入約52.74億元，同比增加17.83%，創出歷史同期新高。公司營業利潤為 14,743 萬元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

盤點國內SiC碳化硅襯底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業...

SiC 2023-10-28

英飛凌確認：兩家中國SiC供應商獲車規認證并大規模出貨

導讀：9月4日，英飛凌德國總部向DIGITIMES證實，已經提前完成來自中國兩家碳化硅（SiC）材料供應商天岳先進（SICC）、天科合達（TankeBlue）的車規認證，而且已向全球客戶出貨。圖：英飛凌5月，芯片大師曾報...

SiC 2023-09-08

【資訊】全球SiC晶圓競爭，進入白熱化

來源：半導體行業觀察隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號，全球芯片制造商正在快速采取行動，確保碳化硅功率器件的供應。Onsemi 和 Rohm 也希望通過巨額預付款來提高 SiC 器件的產量，...

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模塊

ROHM Co., Ltd. 常務執行董事CFO伊野和英（左）與SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

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ADI LTSpice仿真案例集錦（1-10）

LTspice仿真案例一-LTspice 搭建并仿真惠斯通電橋電路 LTspice仿真案例二-NE555多諧振蕩電路輸出PWM方波 LTspice仿真案例三-BUCK...

ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現車載充電器小型化！

【PI】可替換SIC部件——Qspeed H系列二極管提供650V級選項

E點冷知識：GaN & SiC 大比拼

通過協作釋放SiC效率

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1200V 450A全SiC半橋功率模塊問世

電源設計說明：線性方案中的 SiC MOSFET

電源設計說明：面向高性能應用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

動態測試證實了 SiC 開關頻率的準確性

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

用于 SiC 解決方案設計的模塊化評估平臺

SIC24P用于控制交流彩燈

SIC24P用于驅動直流LED應

sic資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現車載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

SiC JFET Cascode應用指南

SiC JFET Cascode 應用指南 2025-06-28 立即下載

探索安森美（onsemi）并聯SiC Cascode JFET技術及其在高效功率轉換中的應用

onsemi sic 2025-05-30 立即下載

Qorvo SIC JFET

Qorvo 晶體管 2024-06-07 立即下載

使用 InnoSwitch3-AQ（1700 V SiC 開關）替換 400 V BEV 系統中的 12 V 電池.pdf

InnoSwitch3-AQ SiC 2024-04-26 立即下載

EEPW2023年6月刊

fpga sic 2023-07-24 立即下載

介紹幾款用于車載充電器應用的 1200 V SiC MOSFET 模塊

onsemi 安森美 2023-07-04 立即下載

M1 1200 V SiC MOSFET特性及驅動建議

onsemi 安森美 2022-09-02 立即下載

光伏逆變器、不間斷電源和儲能等應用可選用這款SiC MOSFET

onsemi 安森美 2022-08-03 立即下載

用戶手冊：安森美的1200 V SiC MOSFET評估板用于能源基礎設施提供高能效、高功率密度和出色的散熱

onsemi 安森美 2022-07-05 立即下載

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sic論壇

07-25 11種封裝的國產碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產品介紹應用

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07-07 碳化硅高速電機控制器設計及效能分析

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04-15 麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項目問題

seving|瀏覽：1053|回復：0| seving 2025-04-15 14:47:21

06-18 六月盲盒，第四關：認識大功率、高性能汽車類SiC牽引逆變器

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10-24 SiC器件之外延層基礎知識

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