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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅動IC，加速SiC方案設計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能...

SiC 電動汽車 2026-01-27

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障...

安森美固態斷路器 2026-01-19

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業能源管理技術新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創新與系統優化上的深度融...

Melexis 邁來芯 2026-01-13

SiC市場發展周期修正

Power SiC市場持續轉型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業現正進入調整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發生了轉變。利用率下降、產能過剩和投資減...

SiC yole 2025-12-23

硅質原材料價格上漲，而6英寸基材則引發價格戰

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英...

硅質原材料 6英寸 2025-11-26

安森美已完成獲得奧拉半導體Vcore電源技術授權

安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現公司在人工智能（AI）...

安森美奧拉 2025-11-05

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充...

英飛凌羅姆 2025-09-26

羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及A...

羅姆英飛凌 2025-09-25

175℃極限突破！SiC JFET 讓固態斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC推動電動汽車向800V架構轉型，細數安森美的核心SiC方案

隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續航里程的期望持續攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創新，更要深入動力系統架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統從400V...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC和GaN技術重塑電力電子行業前景

電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩...

SiC GaN 2025-09-15

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備...

東芝 SiC MOSFET 2025-08-28

東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協議

據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商...

東芝天岳先進 2025-08-26

SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

第三代半導體洗牌GaN躍居主角

拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7....

第三代半導體 GaN 2025-07-28

Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協議，共創電源管理未來

隨著人工智能（AI）快速發展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業股...

Microchip 臺達 2025-07-21

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅動器評估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 ...

650V GaN 2025-07-04

香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準

6月25日，香港特區政府創新科技局轄下創新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體...

香港 8英寸 2025-07-01

基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統

在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成...

SiC 熔絲保護 2025-06-30

一文讀懂SiC Combo JFET技術

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通...

安森美 SiC 2025-06-30

SiC Combo JFET技術概覽與特性

SiC Combo JFET 安森美 2025-06-26

羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新...

羅姆 SiC MOSFET 2025-06-24

從單管到并聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南

在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源...

意法半導體 SiC 2025-06-24

SiC過剩預警：新能源汽車能否消化瘋狂擴產？

就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一...

SiC 2025-06-20

復旦大學研發新型SiC MOSFET器件

在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優化導通電阻（Ron），一直是行業亟...

復旦大學 SiC 2025-06-16

SiC市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭...

SiC 共源共柵 2025-06-13

ROHM發布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模...

ROHM SPICE模型 2025-06-11

SiC Combo JFET講解，這些技術細節必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 ...

安森美 SiC 2025-06-11

因中國價格戰和Wolfspeed不確定性瑞薩電子放棄SiC生產計劃

根據 MoneyDJ 援引日經新聞的一份報告，電動汽車（EV）市場增長放緩，加上中國制造商增產導致供應過剩，導致價格下跌，據報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產電動汽車碳化硅功率半導體的計...

價格戰 Wolfspeed 2025-06-03

Wolfspeed破產傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風險

據日本媒體《日刊工業新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出，這一發展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協議的瑞薩電子以及...

Wolfspeed 破產 2025-05-28

將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs （SAL）完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實驗室表示，這項技術...

電流傳感器 EV 2025-05-27

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的...

東芝 DFN8×8 2025-05-20

東芝在SiC專利申請中挑戰泰科天潤

中國功率芯片開發商泰克天潤（Global Power Technology）在碳化硅（SiC）功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 8...

東芝 SiC 2025-05-20

CHIPS 法案、電動汽車關稅加劇了Wolfspeed的現金危機

在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車用碳化硅行業的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備...

CHIPS Wolfspeed 2025-05-15

SiC開始加速批量上車

在新能源汽車技術的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術已成為推動行業發展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優勢，已深度融入新能源汽車的核心系統，開啟了新能源汽車性能提升與技術創新的新篇章。從高端...

SiC 2025-05-13

sic