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簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 ...

650V GaN 2025-07-04

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650V CoolGaN? G5雙向開關（BDS）。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英...

英飛凌 650V 2025-05-27

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的...

東芝 DFN8×8 2025-05-20

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解...

英飛凌 650V 2023-10-11

全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器...

ROHM 650V 2023-05-16

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