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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

簡(jiǎn)介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個(gè)新水平，同時(shí)滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺(tái)，該平臺(tái)具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購(gòu) Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品線集成后對(duì) ...

650V GaN 2025-07-04

英飛凌推出650V CoolGaN? G5雙向開關(guān)，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了一款能夠主動(dòng)雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關(guān)——650V CoolGaN? G5雙向開關(guān)（BDS）。該產(chǎn)品采用共漏極設(shè)計(jì)和雙柵極結(jié)構(gòu)，是一款使用英...

英飛凌 650V 2025-05-27

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的...

東芝 DFN8×8 2025-05-20

英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解...

英飛凌 650V 2023-10-11

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器...

ROHM 650V 2023-05-16

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于ons...

大聯(lián)大世平集團(tuán) onsemi 2022-09-13

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，...

Nexperia 650V 2020-06-08

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。...

科銳 650V MOSFET 2020-04-03

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650V

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

英飛凌推出650V CoolGaN? G5雙向開關(guān)，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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