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共源共柵

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SiC市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)...

SiC 共源共柵 2025-06-13

碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器...

安森美碳化硅 2025-04-09

東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同...

202207 東芝 2022-07-22

一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高，基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問題，通過增加啟動(dòng)電路，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路，設(shè)計(jì)了一種高精度、低溫漂、與電源無關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電...

帶隙基準(zhǔn)電壓源溫度系數(shù) 2018-09-14

折疊共源共柵運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，高性能運(yùn)算放大器廣泛應(yīng)用于高速模/數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器（DAC）、開關(guān)電容濾波 ......

折疊共源共柵 2013-11-07

增益增強(qiáng)共源共柵放大器的設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一種采用增益增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵跨導(dǎo)運(yùn)算放大器，可用于流水線結(jié)構(gòu)的A/ ......

增益增強(qiáng) 共源共柵 2012-10-29

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增益增強(qiáng)共源共柵放大器的設(shè)計(jì)

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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