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臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？

  • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現未來
  • 關鍵字： 臺積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機  

High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機

  • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
  • 關鍵字： High-NA  EUV  光刻機  英特爾  芯片  半導體  

High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？

  • 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發，將于 2024 年安裝在 A
  • 關鍵字： High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術

  • 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
  • 關鍵字： ASM  NXE:3800E EUV  光刻機  High-NA  

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？

  • 英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
  • 關鍵字： 英特爾  High-NA EUV  臺積電  

ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場

  • 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業需要2030年開發數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
  • 關鍵字： ASML  NA  EUV  光刻設備  

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現納安級消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場發展快。DC/DC轉換器成為影響這些產品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現。
  • 關鍵字： 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
  • 關鍵字： 100  0.1  KHZ  NA    

尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。  　　這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩定性的問題，據稱利用名為“Local-fill（局部
  • 關鍵字： NA  尼康  嵌入式系統  
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