- 閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC閃存每單元存儲3bit數據，它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態硬盤使用這種技術。
不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場，例如SD和USB閃存驅動
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- 根據信息與數據分析公司IHS iSuppli發布的最新數據報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產業收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內持續增長。
具體可參見下表。
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“閃 存具備高密度內存，大容量傳輸的性能。在2012年，蘋果iPhone是NAND的
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- 據媒體報道，市場研究公司IHS iSuppli預期，2013年手機將成為全球最大的閃存消費產品，這主要得益于智能手機在全球技術市場中地位的日益凸顯。
目前，市場上有大量產品都采用了NAND閃存，但HIS表示，2013年手機閃存出貨量在全球閃存總出貨量中的占比將升至24.6%。
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- 不到兩個指甲蓋大小的芯片，內存達8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長唐良智調研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實現量產。
“我們正努力把閃存的技術節點，往前推進。”剛剛履新武漢新芯CEO的楊士寧說，“我們為美國公司生產的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存。”
此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬片的12
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- 據IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現騰飛，2012年NAND閃存營業收入萎縮。
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- LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業績以及截止至2012年12月31日的全年業績。
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- NAND Flash內存設備的讀寫控制設計,引言
NOR Flash和NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數碼相機、手機、個人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
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- Microchip公司的小型低引腳數閃存PIC 單片機具有小巧靈活的特點，為開發、設計和生產過程帶來諸多便利。PIC 系列單片機采用小型封裝，更適用于對體積和大小有嚴格限制的應用場合。PIC 單片機的特點簡介PIC 單片機的數
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- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０ 引 言
現階段嵌入式產品作為Ｕ 盤掛載到ＰＣ機上在各類電子產品中被越來越多的應用，Ｌｉｎｕｘ操作系統在電子產品中的應用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機中，與ＰＣ機上通用Ｗｉｎｄｏ
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- 日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續進行生產;大分工廠今年元旦假期期間的停工天數則將自去年的6天減半至3天。
東芝姬路半導體工廠主要生產馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產影像感測器及系統整合晶片(SystemLSI)。
東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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市調機構集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，雖然系統產品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預估緩跌走勢將持續至明年1月份。
集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產線短暫跳電，但相關NAND Flash的營運沒有受到影響，現貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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- 應用串行NOR閃存提升內存處理能力,在嵌入式系統中，NOR閃存一直以來仍然是較受青睞的非易失性內存，NOR器件的低延時特性可以接受代碼執行和數據存儲在一個單一的產品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
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- 近日Spansion公司推出業界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對外宣稱推出45nm工藝節點的產品。這對在與NAND閃存競爭中處于下風的NOR來說無疑是一大利好。這一技術對NOR閃存的市場發展會帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會發生變化成為業界關注熱點。
NOR技術仍在進步
截至2020年，每個用戶擁有的聯網設備數量預計將達到7臺左右，實現具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設備間連接。在此過程中，閃存&ldqu
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- 三星840系列固態硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產品。關于這種閃存的原理、架構技術，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。
遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(P/E)次數大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數據。
不過還是有個變通方法
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- LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國召開第五屆加速創新年度峰會(AIS)。個人和企業使用越來越多的設備在網上做更多工作，共享更多內容，這個現象不僅形成了數據大爆炸，同時給數據中心、移動網絡和設備提出了前所未有的挑戰。
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