nand 閃存文章最新資訊

基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對(duì)用戶(hù)有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使 ...
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全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元

　　據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達(dá)到了34.6%。　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(zhǎng)了大約5%，而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲(chǔ)卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對(duì)閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。　　集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

　　外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績(jī)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達(dá)1,675億韓元，遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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宏力半導(dǎo)體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。　　目前，宏力半導(dǎo)體擁有0.25/ 0.18/ 0.13微米一系列嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)，均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2005年，0.25微米嵌入式閃存工藝投產(chǎn)，應(yīng)用于國(guó)外知名企業(yè)的汽車(chē)引擎控制和安全氣囊芯片，已出貨1400萬(wàn)顆，至今仍保持現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用零退貨的記錄。　　2007年，宏力半導(dǎo)體0.18微米嵌入式閃存產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)，成功實(shí)現(xiàn)了當(dāng)時(shí)業(yè)界最小的單
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蘋(píng)果證實(shí)已收購(gòu)閃存半導(dǎo)體公司Anobit

　　據(jù)悉，蘋(píng)果(APPLEInc.AAPL)已經(jīng)成功收購(gòu)以色列半導(dǎo)體公司Anobit。Anobit是Anobit是NAND閃存控制器開(kāi)發(fā)商，是iphone和ipad閃存控制器的提供商。　　Anobit作為NAND閃存控制器開(kāi)發(fā)商，號(hào)稱(chēng)可提升閃存的耐久度(最大讀寫(xiě)次數(shù))，蘋(píng)果是全球該商品最大買(mǎi)家。根據(jù)SanfordC.Bernstein&Co.1月6日的數(shù)據(jù)顯示，2011年第四季度蘋(píng)果占了NAND閃存控制器全球總銷(xiāo)量23%的比重。　　蘋(píng)果發(fā)言人史蒂夫道林(SteveDowling)11日證實(shí)
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蘋(píng)果去年買(mǎi)進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋(píng)果公司在上一季買(mǎi)了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購(gòu)量，蘋(píng)果拿到的成本價(jià)格可說(shuō)是出乎意料之外的低。　　Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋(píng)果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋(píng)果購(gòu)買(mǎi)NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價(jià)格為0.6
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LSI完成對(duì)SandForce公司的收購(gòu)

新年的第一個(gè)工作日，LSI宣布已完成對(duì) SandForce 公司的收購(gòu)。SandForce 是一家面向企業(yè)級(jí)和客戶(hù)端閃存解決方案以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 (SSD) 的閃存處理器領(lǐng)先供應(yīng)商。在引入能夠提升應(yīng)用性能的創(chuàng)新型閃存解決方案后，LSI 將在高速發(fā)展的閃存處理器市場(chǎng)上處于領(lǐng)先地位，可滿(mǎn)足超級(jí)本、筆記本電腦以及企業(yè)級(jí) SSD 和閃存解決方案的要求。　　LSI執(zhí)行副總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官 Jeff Richardson 表示：“客戶(hù)對(duì)本次收購(gòu)反應(yīng)非常積極，我們很高興能將 LSI 和 SandForce
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韓國(guó)周三批準(zhǔn)三星在華投建40億美元閃存廠

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，周三，韓國(guó)政府宣布，已經(jīng)批準(zhǔn)三星電子在中國(guó)建設(shè)一座閃存芯片工廠。這家工廠計(jì)劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模的量產(chǎn)將會(huì)在在2013年啟動(dòng)，該工廠每月處理的晶圓個(gè)數(shù)將達(dá)到十萬(wàn)個(gè)。據(jù)報(bào)道，三星電子目前尚未確定工廠的選址。　　根據(jù)韓國(guó)政府規(guī)定，本國(guó)企業(yè)要在海外設(shè)立高科技生產(chǎn)基地，必須向政府提交申請(qǐng)，以避免高端技術(shù)的外泄。韓國(guó)知識(shí)和經(jīng)濟(jì)部官員周三表示，三星電子將會(huì)成立一個(gè)委員會(huì)，專(zhuān)門(mén)防止中國(guó)工廠閃存芯片技術(shù)被泄露。　　三星是全
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東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>

　　日系DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)身陷財(cái)務(wù)風(fēng)暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱恕?duì)此東芝和爾必達(dá)高層都不予置評(píng)。　　近期再度傳出爾必達(dá)與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動(dòng)裝置上，需要與爾必達(dá)Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營(yíng)，雙方確實(shí)有接觸洽談?wù)鲜乱耍珫|芝對(duì)于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高，另外，日本政府亦認(rèn)為，DRAM市場(chǎng)雖萎縮，但技術(shù)必須傳承，有意促使兩大半導(dǎo)體廠整合。

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兆易:游擊戰(zhàn)練就閃存黑馬

　　串行閃存的一匹黑馬　　存儲(chǔ)器業(yè)是巨型玩家的戰(zhàn)場(chǎng)，新企業(yè)躋身于此談何容易! 　　但是，一家號(hào)稱(chēng)從打游擊戰(zhàn)起家的企業(yè)——兆易創(chuàng)新，2010年出貨1億多顆串行閃存;2011年出貨超過(guò)3億顆，營(yíng)業(yè)額將近5億元人民幣，進(jìn)入了代工廠——中芯國(guó)際(SMIC)的本土客戶(hù)中的前五大流片商名單。　　而兆易創(chuàng)新2005年才成立，如今只有6歲，早期是做存儲(chǔ)器IP的業(yè)務(wù)，2007年底開(kāi)始轉(zhuǎn)型做NOR Flash(閃存)，定位移動(dòng)產(chǎn)品用的串行閃存(SPI Flash)，已
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何衛(wèi)：整機(jī)市場(chǎng)，需要上下游的配合

　　在工業(yè)和信息化部的指導(dǎo)下，由中國(guó)電子工業(yè)科學(xué)技術(shù)交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心)(簡(jiǎn)稱(chēng)CSIP)和濟(jì)南市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦的2011中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第六屆“中國(guó)芯”頒獎(jiǎng)典禮于12月16日在濟(jì)南隆重召開(kāi)。　　以下是記者對(duì)于兆易創(chuàng)新何衛(wèi)的采訪實(shí)錄：　　記者：現(xiàn)在國(guó)家的行政單位、政府采購(gòu)用你們的方案嗎? 　　何衛(wèi)：目前還沒(méi)有。　　記者：你們的主攻方向還是在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)這一塊，是嗎? 　　何衛(wèi)：我們是做閃存的，這一塊其實(shí)能夠了解的是每一個(gè)
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蘋(píng)果欲收購(gòu)閃存半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Anobit

　　據(jù)悉，蘋(píng)果正就收購(gòu)Anobit Technologies公司進(jìn)行深入談判，收購(gòu)價(jià)格估計(jì)為4億美元至5億美元。　　Anobit是一家用于閃存的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)創(chuàng)業(yè)公司，成立于2006年6月，總部位于以色列Herzeliya Pituach，在美國(guó)和韓國(guó)設(shè)立了子公司，共獲得7600萬(wàn)美元融資，投資者包括Battery Ventures、Pitango Venture Capital和其他戰(zhàn)略投資者，擁有95項(xiàng)專(zhuān)利。　　其MSP(Memory Signal Processing)技術(shù)顯著改善了閃存產(chǎn)品和系
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Maxim參考設(shè)計(jì)平臺(tái)加速新一代智能電表的設(shè)計(jì)

MaximIntegratedProducts,Inc(NASDAQ：MXIM)推出Newport智能電表參考設(shè)計(jì)平臺(tái)。該平臺(tái)集成了最新的計(jì)量、...
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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶仍會(huì)保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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Spansion公司發(fā)布2011年第三季度財(cái)報(bào)

行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年9月25日第三財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。依據(jù)美國(guó)GAAP，Spansion 的銷(xiāo)售凈額為 2.582 億美元，營(yíng)運(yùn)收益為 2320 萬(wàn)美元，凈收益為 730 萬(wàn)美元。依據(jù)非 GAAP，公司銷(xiāo)售凈額為 2.582 億美元，調(diào)整后營(yíng)運(yùn)收益為 4670 萬(wàn)美元，調(diào)整后凈收益為3030萬(wàn)美元。
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