- 0 引言 計算機技術的高速發展，存儲系統容量從過去的幾KB存儲空間，到現在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
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FLASH NAND 儲存 測試系統
- 5月13日消息，據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據市調機構TrendForce最新統計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。
2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
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三星電子 NAND
- 行業領先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發布截止至2011年3月27日第一財季的運營成果。由于公司重組后實行的新會計計量產生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結果。公司美國GAAP凈銷售額為2.929億美元，經營虧損70萬美元，凈虧損1410萬美元。公司美國非GAAP調整后凈銷售額2.944億美元，調整后運營收入3850萬美元，調整后凈收入為2510萬美元。
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Spansion 閃存
- 帶有雙組閃存的MCU優點,MCU(微控制器)在過去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數和數模外設、內存大小及讀寫次數等方面呈指數發展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲器的MCU(我們在USB閃存驅動器、存儲器等內擁有閃存)，從首批帶有一次性編
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MCU優點 閃存 雙組 帶有
- 據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND 移動設備
- 由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業將持續供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
- 據韓國媒體報道，內存調研公司集邦科技發布最新研究數據，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。
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閃存 NAND
- 東芝宣布其開發出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產。此次開發的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。
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東芝 NAND
- NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現壞塊管理并且實現連續數據讀取的方法。
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結構 分析 系統 存儲 Flash 嵌入式 NAND
- Intel與鎂光的閃存合資企業IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開業儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數有望達到1200人。這間工廠從去年中期開始已經在生產25nm制程NAND閃存芯片產品，目前正在提升該產品的產量，預計今年晚些時候該廠將能開足馬力進行生產。
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Intel 閃存
- 上周，Intel和鎂光發表聯合聲明，正式推出采用20nm制程技術制造的NAND閃存芯片產品，并稱這款產品將于年內在IMFT屬下的工廠開始生產。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術的寶座，他們宣稱已經制造出了采用19nm制程技術的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司。
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東芝 NAND
- 據國外媒體報道，據臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發表的行業數據顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創7個月的新高，反應了在上個月日本發生嚴重的地震中斷了供應鏈之后其它存儲芯片價格的情況。
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NAND 閃存芯片
- 英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術，英特爾稱利用這一技術將有望制造出業界體積最小、密度最高的閃存裝置。
英特爾的非揮發性內存解決方案部門的總經理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業的楷模，因為我們將會在制程技術上持續領導業界轉換至越來越微小的技術。”
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英特爾 20納米 閃存
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