- 東芝于今日正式發布了全球首個使用19nm制程MLC NAND閃存的固態硬盤產品。東芝新SSD的主要改進之處在于主控，配合19nm閃存可實現對SATA 3.1標準的支持，讀取/寫入速度最大可達524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時還集成有獨家的錯誤校驗技術QSBC，并 支持微軟下一代垃圾清理技術Deterministic Zeroing TRIM。
最關鍵的改善在于數據保護部分，除突發性掉電數據不丟失之外，一旦閃存出現故障或達到使用壽命，東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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東芝 SSD 閃存
- LSI公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作，共同將PCIe閃存高速緩存技術卓越的應用加速優勢應用于部署廣泛的創新型Cisco UCS B系列刀片服務器。
該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結合，能進一步加速應用性能，改善EMC存儲環境下Cisco服務器的響應時間。
目前，服務器處理器性能的提升步伐已經超越了存儲性能的提升速度，因此，如何在不影響現有存儲架構的情況
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LSI 閃存
- 最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個單層單元（SLC）系列NAND閃存產品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產品可大致分為以下三個系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存，注重降低系統成本的FL-S系列串行NOR閃存，以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。
嵌入式產品無處不在，因而對嵌入式存儲的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂系統，還是電視機頂盒，抑或是通信基礎設備，都會用到嵌入式閃存。
隨著科技的不斷發展，消費者對用在
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Spansion SLC NAND
- 日本DRAM大廠爾必達（Elpida）今年2月召開董事會，向東京地方法院提出更生程序并獲受理，子公司秋田爾必達（封測廠）亦同時申請公司更生程序。爾必達此舉引發產業不小震撼，也連帶的對相關上下游產業產生相當的沖擊
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DRAM NAND
- 摘要：針對MPEG4格式壓縮的視頻數據，給出了采用NAND FLASH為存儲介質，以FPGA為存儲陣列的控制器，并用DSF作為數據處理的核心單元，來完成大容量視頻數據存儲的系統設計方法，同時對壞塊的檢測處理等關鍵問題提出了
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存儲 系統 設計 視頻 大容量 NAND FLASH 基于
- 2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創新領軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網絡應用的數據存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求，例如1位
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Spansion NAND 閃存
- IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現。這些技術很可能出現在
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表象 技術 細節 閃存 NAND 16Gb MLC 解密
- 野村證券最近發布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發現，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。
北京時間5月23日下午消息，野村證券最近發布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發現，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。
該報告顯示，要生產一部現代化的智能手機，需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經一度被視為手機中最昂貴的部件，但根據野村證券的報告，最貴的應該是NAND閃存，
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智能手機 閃存
- 引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性，在系統電源關閉的情況下依然可保留數據。隨著技術的發展，Flash因其在性能和成本方面的優勢逐漸成為系統存儲的工業標準。目前市面上，NOR Flash和NAND
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閃存 驅動設計
- 英國研究人員最近報告說，他們研發出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備，與現在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎上開發出的存儲設備與現有閃存相比更快更節能，是業界近來的研發熱點。但以前開發出的這種存儲設備只能在高度真空環境中運行。
英國倫敦大學學院等機構研究人員日前在《應用物理學雜
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存儲器 閃存
- NAND閃存工藝技術不斷進步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態硬盤廠商STEC近日宣布了一項新技術“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達13倍。
CellCare是一項硬件和固件綜合技術，核心內容包括：每個內核的閃存參數追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數字信號處理，可改進數據可靠性、最大程度減少重新讀取。
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24nm 閃存
- 基于NAND Flash的數據存儲系統設計,引言
傳統的存儲設備雖然具有價格低廉的優勢，但是在高溫、高速、高沖擊的測試環境中，往往存在設備存放空間有限、測試參數較多、采集速率高、環境復雜等因素。為了得到準確的測試數據，對存儲設備的性能也提出
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系統 設計 存儲 數據 NAND Flash 基于
- 基于閃存的大容量存儲陣列,摘要 大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和靈活性一直是星上記錄設備信息存儲技術的主要研究內容和追求目標。文中研究并實現了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態存儲系統，成果為實際研制應用于星
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陣列 存儲 大容量 閃存 基于
- 據IHS iSuppli公司的數據閃存市場研究報告，雖然2011年情況不如人意，但今年NAND閃存市場可望有不錯的表現，裝備固態硬盤的超級本(Ultrabook)等產品將助其一臂之力。
今年全球NAND閃存營業收入預計增長8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業收入預期，全球出貨量相當于28823個1GB器件，而2011年是17401個。隨著智能手機、平板電腦和超級本固態硬盤(SSD)這三大市場使用的NAND閃存逐年增長，未來幾年NAND營業收入將持續攀升，到2016年
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