久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

nand 閃存 文章 最新資訊

智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒,NAND閃存繁榮依舊

  •   手機(jī)及其它移動(dòng)電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人   據(jù) iSuppli 公司,由于能夠克服移動(dòng)電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制,嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來四年將增長(zhǎng)約 60 倍。   到 2013 年,內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對(duì)內(nèi)嵌式微型投影機(jī)全球出貨量的預(yù)測(cè)。   iSuppli 對(duì)微型投影機(jī)的定義是:重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機(jī)。雖然微
  • 關(guān)鍵字: 智能手機(jī)  NAND  

飛索半導(dǎo)體瘦身 專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

  •   “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì),而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。   Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
  • 關(guān)鍵字: Spansion  DRAM  閃存  

NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

  •   NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。   積極地來看,Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬petabyte(PB,1 peta=100萬Giga),而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng),其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。   Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
  • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  閃存  

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

  •   耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下,而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。   耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品,該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍,而功耗僅為DRAM的1/20,而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。   “我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快,但尺寸和閃存一樣小,
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  閃存  FeDRAM  

英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

  •   英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱,他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片,存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù),從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。   美光NAND閃存營(yíng)銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說,雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度,但是,這種做法沒有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此,每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  34納米  

臺(tái)灣媒體:奇夢(mèng)達(dá)資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜

  •   曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢(mèng)達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段,而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心,至于蘇州封測(cè)也傳出將由華潤(rùn)集團(tuán)接手,而這些收購公司背后都有國(guó)資背景,顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下,大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。   德國(guó)內(nèi)存龍頭廠奇夢(mèng)達(dá)確定遭到市場(chǎng)淘汰,并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢(mèng)達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國(guó)的弗吉尼亞與德國(guó)的德勒斯登12吋晶圓廠,以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測(cè)廠。至于奇夢(mèng)達(dá)在大陸的基地,只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
  • 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá)  晶圓  服務(wù)器  DRAM  NAND  

日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇 廠家暑期加班應(yīng)對(duì)

  •   據(jù)日本媒體報(bào)道,日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升,大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長(zhǎng)等因素,市場(chǎng)需求得到恢復(fù),庫存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道,這些企業(yè)的業(yè)績(jī)有望得到好轉(zhuǎn),也可能為日本國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來一股活力。   在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%,在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計(jì)劃開工。   東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
  • 關(guān)鍵字: 夏普  液晶面板  半導(dǎo)體  NAND  

東芝大砍6成芯片支出 轉(zhuǎn)加強(qiáng)電力及基礎(chǔ)建設(shè)

  •   8月6日消息,日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示,由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(zhǎng)將減緩,并尋求擴(kuò)張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù),3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利,將達(dá)電子產(chǎn)品部的2倍。   東芝的半導(dǎo)體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營(yíng)業(yè)虧損,使其減緩該部門支出,并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I(yíng)收來源,例如健康醫(yī)療及水處理等。   東芝目前預(yù)期,包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會(huì)計(jì)年度,獲利將達(dá)約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì)基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達(dá)2000億
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  晶圓  

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔(dān)憂的7個(gè)理由

  •   盡管最近市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI仍不修正半導(dǎo)體業(yè)陰沉的預(yù)測(cè), 即09年全球設(shè)備市場(chǎng)下降44.2%及半導(dǎo)體市場(chǎng)下降12.4%,而其CEO Hutcheson對(duì)于IC工業(yè)仍非常樂觀。   根據(jù)與Hutcheson的對(duì)話及公司的最新報(bào)告, 以下將結(jié)論刊出, 共有4個(gè)正面意見及2個(gè)負(fù)面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔(dān)心的原因。   1. 看到回升   7月的周報(bào)IC銷售額上升到33億美元, 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面, 因?yàn)橥ǔ?月是典型的弱月份, 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較,IC銷
  • 關(guān)鍵字: Cisco  通訊  太陽能  NAND  

第二季度芯片市場(chǎng)回暖 IC廠商排名調(diào)整

  •   市場(chǎng)研究公司IC Insights指出,第二季度芯片市場(chǎng)銷售額的反彈使IC廠商排名發(fā)生了較大變化。   以銷售額來計(jì),第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。   Intel仍然位居榜首,Samsung、Toshiba、TI緊隨其后。由于第二季度表現(xiàn)突出,TSMC從第十躍至第五。   ST排名第六,后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix從第13名升至第10名。另一個(gè)排名上升的公司是Media
  • 關(guān)鍵字: AMD  手機(jī)芯片  閃存  汽車電子  

第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%

  •   在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場(chǎng)庫存回補(bǔ)需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收都較上一季成長(zhǎng),2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營(yíng)收為27億8千6百萬美元,較上一季的20億8千6百萬美元成長(zhǎng)33.6%QoQ。   就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排行來看,Samsung營(yíng)收為10億3千7
  • 關(guān)鍵字: Micron  NAND  

東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價(jià)格上漲10%

  •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響,然令業(yè)界意外的是,由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品,因此,使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降,帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。   內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為,過去記憶卡價(jià)格一直嚴(yán)重偏低,業(yè)界趁此機(jī)會(huì)調(diào)漲終端記憶卡售價(jià),但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機(jī)率則不高。   業(yè)內(nèi)人士表示,2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續(xù)上漲,記憶卡價(jià)格卻沒有跟上來,導(dǎo)致NAND Flas
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  晶圓  

三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱“BTG”)今天向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴,稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利,要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。   BTG申訴材料稱,涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本,并提高存儲(chǔ)密度。   申訴材料指出,包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存芯片  MLC  

海力士41納米通過認(rèn)證 切入蘋果供應(yīng)鏈

  •   海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛,之前48納米制程量產(chǎn)不順,加上減產(chǎn)之故,幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè),直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利,才開始活躍起來,日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈,獲得認(rèn)證通過,可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」!   海力士2008年下半開始,NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少,一方面是48納米制程量產(chǎn)不順,另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤,導(dǎo)致虧損
  • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND  48納米  41納米  34納米  存儲(chǔ)器  
共1635條 88/109 |‹ « 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 » ›|

nand 閃存介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473