根據韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現在正實現顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導的
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鎧俠 NAND 人工智能 SSD
隨著全球數據中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內存需求的持續增長，并導致內存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產品的價格一周。行業內部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發現將面臨嚴重的供應短缺，促使公司緊急暫停
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美光 AI 存儲 NAND SSD
現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業務，引起了業內廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
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長江存儲 YMTC NAND 三星
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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內存 NAND DRAM
TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環比增長11.4%至21.4億美元，環比增長11.4%，排名第三。美光收入環比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環比增長 12.2% 至 19 億美元
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三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據 路透社和 彭博社的數據，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現有晶圓廠的運營，但不會批準產能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經在今年早些時候通過出售其大連工廠
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三星 海力士 晶圓廠 NAND
終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區域市場全面反映報價調漲， 單季漲幅將達雙位數百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現貨價格已上漲約3成多，反映業界在擔憂
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內存 NOR Flash
據韓媒ZDNet Korea援引業界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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三星 SK海力士 NAND
美光??宣布推出業內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現已實現商業化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環境使用而設計。該產品已根據 NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環、缺陷篩選和動態老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環境中的可靠性。這
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美光 內存 NAND
(圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據 NAND 存儲器生產市場的 15%，據《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據 DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
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長江存儲 NAND 內存
中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統 DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據 ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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在嵌入式開發中，MCU 內部的 Flash 常用于存儲配置信息、日志數據或用于 OTA 升級。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區擦除、字節或半字寫入等。本文將圍繞一段實際使用的 Flash 操作代碼進行講解，主要涉及 Flash 的擦除、寫入與讀取功能。一、Flash 結構及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存儲器按照扇區（Sector）劃分，每個扇區大小不一，例如在 STM32F407 中，前四個扇區大小為 16KB，第五個為 64KB，之后
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STM32 Flash
根據TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產品，帶動出貨規模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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NAND Flash
SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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美光 自適應寫入 QLC NAND
TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續至年底。根據通路查核，隨著價格進入高檔區間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
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DDR4 NAND
nand flash 介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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