nand flash 文章最新資訊

如何讓U-boot實現Nand/Nor 雙啟動

如何讓U-boot實現Nand/Nor 雙啟動,在做u-boot移植的時候，多數人使用的是Nand flash啟動或Nar Flash啟動。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們如何讓我們的u-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先，我們說說u-boot,u-boot是系統
關鍵字：啟動 Nand/Nor 實現 U-boot 如何

手機嵌入式SSD成NAND Flash應用的新焦點

當全球看好固態硬盤(SSD)是NAND Flash下一個殺手級應用的同時，手機內建NAND Flash內存的應用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應用的新焦點。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規格為eMMC，是手機內建儲存方案的新標
關鍵字：應用焦點 Flash NAND 嵌入式 SSD 手機

DSP芯片的Flash存儲器的在線編程方式

DSP芯片的Flash存儲器的在線編程方式,在嵌入式系統中，為了實現程序的脫機自動運行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實現一個嵌入式系統的帶電脫機運行，在線編程就成為嵌入式系統開發過程的必經之路。由于在線編程涉及到硬件和軟件方面的內容
關鍵字：編程方式在線存儲器芯片 Flash DSP

C8051F的超大容量Flash存儲器擴展方法介紹

摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。引
關鍵字：方法介紹擴展存儲器大容量 Flash C8051F

在DSP系統中Nand+Flash存儲管理的實現

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字： DSP Flash NAND 存儲管理

Spansion SLC NAND應對嵌入式閃存應用的新要求

　　最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個單層單元（SLC）系列NAND閃存產品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產品可大致分為以下三個系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存，注重降低系統成本的FL-S系列串行NOR閃存，以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。　　嵌入式產品無處不在，因而對嵌入式存儲的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂系統，還是電視機頂盒，抑或是通信基礎設備，都會用到嵌入式閃存。　　隨著科技的不斷發展，消費者對用在
關鍵字： Spansion SLC NAND

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導系統

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關鍵字： DSP Flash 引導

爾必達事件對臺灣相關產業影響之觀察

日本DRAM大廠爾必達（Elpida）今年2月召開董事會，向東京地方法院提出更生程序并獲受理，子公司秋田爾必達（封測廠）亦同時申請公司更生程序。爾必達此舉引發產業不小震撼，也連帶的對相關上下游產業產生相當的沖擊
關鍵字： DRAM NAND

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲系統的設計

摘要：針對MPEG4格式壓縮的視頻數據，給出了采用NAND FLASH為存儲介質，以FPGA為存儲陣列的控制器，并用DSF作為數據處理的核心單元，來完成大容量視頻數據存儲的系統設計方法，同時對壞塊的檢測處理等關鍵問題提出了
關鍵字：存儲系統設計視頻大容量 NAND FLASH 基于

Spansion發布SLC NAND閃存系列產品以及未來五年產品規劃圖

　　2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創新領軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網絡應用的數據存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求，例如1位
關鍵字： Spansion NAND 閃存

基于JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程設計

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字： DSP Flash JTAG 存儲器在線編程

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術細節

IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現。這些技術很可能出現在
關鍵字：表象技術細節閃存 NAND 16Gb MLC 解密

手機設計中T-Flash卡設備的探測與思考

T-Flash（microSD）卡憑借高性能，小體積，大容量，適中的價格迅速在數碼市場中普及開來，目前已成為手機中最流行的擴展卡類型。手機設計中常用的TF卡座有Push和 Hinge兩種類型。Hinge型TF卡座需要掀開蓋后才能取放，
關鍵字：探測思考設備 T-Flash 設計手機

一種矢量信號發生器設計與實現

摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產生矢量信號的特點，以FPGA為邏輯時序控制器，設計并實現了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發生器。本文以產生3載波WCDMA為例，詳細介紹了矢量信號發生器的設計方案與實現過程，使用Verilog HDL描述并實現了DDR2 SDRAM的時序控制和FPGA的邏輯控制。
關鍵字： DDR2 SDRAM FLASH 201205

基于TMSF240芯片的內部FLASH的一種自測試方法

摘要：飛控計算機作為飛行控制系統的核心控制處理單元，其可靠性要求是所有航空電子設備中最高的，用于飛控計算機的每一個元器件都必須經過嚴格的自測試。隨著DSP越來越廣泛應用于飛控系統，對于芯片內部FLASH的自測
關鍵字： FLASH TMSF 240 芯片

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]