- 三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產NAND芯片。
2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠，以應對智能手機和平板電腦的快速發展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
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東芝 NAND
- 據韓國媒體報導，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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三星 Flash
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發環境下，實現ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 支持Flash的單板計算機嵌入式系統,1 引言 在實際開發中，為了提高開發效率，大多是采用以一個與目標板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外，另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件。 2 系統介紹 采
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嵌入式 系統 計算機 單板 Flash 支持
- 最近舉辦的Semicon West2011半導體業界大會上，三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前，三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級，使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續拓展自己的代工業務。
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三星 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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東芝 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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NAND 閃存
- 摘要：從一種軍用板卡的實際需求出發，對SPI接口在設計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數據的方法進行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設計原理和方法，具有
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T1024 FLASH 1024 25T
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統設計,引言
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理的、針對嵌入式應用
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系統 設計 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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平板電腦 NAND
- 行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發難，出現供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。
存儲器業者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產業致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
- 南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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海力士 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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