nand flash 文章最新資訊

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

　　存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計(jì)畫性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場波動(dòng)沖擊。　
關(guān)鍵字： NAND DRAM

需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

　　由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁，導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。　　今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過15%，現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁。　　
關(guān)鍵字： ipad NAND

終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些，但市場不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

　　我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系
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NAND Flash需求急凍模組廠瀕臨警戒線

　　全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點(diǎn)的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
關(guān)鍵字： NAND DRAM

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
關(guān)鍵詞：DDR NAN
關(guān)鍵字：嵌入式接口設(shè)計(jì) 高性能閃存 DDR NAND 基于

基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，提高了整
關(guān)鍵字： FLASH NAND 大容量存儲(chǔ)

存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

　　存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱Memory，外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲(chǔ)器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn)，存儲(chǔ)器獲得了長足的發(fā)展。　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND 201105

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場主流

　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價(jià)格。盡管如此，Gartner依然對(duì)SSD市場的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預(yù)期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì)下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價(jià)格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
關(guān)鍵字： NAND SSD

NAND FLASH在儲(chǔ)存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
關(guān)鍵字： FLASH NAND 儲(chǔ)存測試系統(tǒng)

三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)
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基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

ICP是一種在實(shí)際的目標(biāo)電路板上燒寫和擦除芯片的方法，無需從目標(biāo)板上將芯片卸下來再編程實(shí)現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開發(fā)和代碼升級(jí)。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
關(guān)鍵字：在線編程 Flash MC68HC908JB8 USB 總線基于

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
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三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND 移動(dòng)設(shè)備

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]