- 基于MCU內部Flash的在線仿真器設計方案,摘要：提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領域也不斷擴展，因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
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仿真器 設計 方案 在線 Flash MCU 內部 基于
- NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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閃存 設計 映射 存儲器 NAND 適應
- Am29F040是AMD公司生產的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數據，也就是開機后執行閃存的程序，并在程序執行的過程中實時地保存或修改其內部的數據單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
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Flash F040 040 29F
- 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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存儲 管理 TMS320F28x 實現 Flash Nand 磨損 均衡 思想
- 并行NOR Flash在SOPC開發中的應用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導的軟處理器代碼、可直接執行的軟處理器代碼
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開發 應用 SOPC Flash NOR 并行
- 基于Flash的大容量高速數據記錄儀設計,現今嵌入式存儲產品已滲透進人們生活工作中的方方面面，從ATM 機到手持通訊設備。社會對嵌入式產品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護，體積限制等等。當前數據記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
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記錄儀 設計 數據 高速 Flash 大容量 基于
- 1 引 言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）兩者優點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程，芯片每區可獨立擦寫至少10,000次以上，因而對于需周期性地修改被儲存的代
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系統 應用 臺標 單片機 FLASH 大容量
- 據媒體報道，根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規模達到48.9億美元，環比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。
集邦科技提供的數據顯示，NAND閃存出貨環比增長了大約5%，而平均銷售價格則環比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
集邦科技指出，三星電子
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海力士 NAND
- 外電報導，全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據彭博社調查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查，分析師原先預期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統開發過程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發是非常重要而又閑難的一個環節。因為不能確定硬件系統是否正常丁作，而后續應用開發都是以此為基礎。在實際開發中，為了提高開
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設計 應用 嵌入式 Flash ISP 支持
- 根據市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 報告指出，蘋果產品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
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蘋果 NAND
- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協商，且日本政府扮演關鍵要角。內存業者透露，東芝在發展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
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東芝 NAND
- μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關鍵問題,引言 在作為國家863計劃子項目挖掘機智能化控制系統的開發中，出現了智能化挖掘機軌跡控制系統不按照預先設定好的軌跡運行和嵌入式實時多任務操作系統mu;C／OS-Ⅱ調度紊亂等失控問題。該智能化系統中采用了mu;C
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關鍵 問題 運行 存儲器 DSP Flash C/OS-II
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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