nand flash 文章最新資訊

NAND市場，激戰打響

隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
關鍵字：三星第九代 V-NAND

鎧俠結束減產？兩座NAND工廠開工率提高至100%

據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環境，鎧俠發布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續根據
關鍵字：鎧俠 NAND

Omdia：2027 年 QLC 市場規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
關鍵字： QLC NAND 閃存

三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現pb級ssd。如果上述材料研發順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
關鍵字：三星 NAND 存儲

三星1000層NAND目標，靠它實現

三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
關鍵字：三星 NAND Flash

三星1000層NAND目標，靠它實現？

三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
關鍵字：三星 1000層 NAND

SK海力士開發新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現業界最高
關鍵字： SK海力士 AI 存儲 NAND

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
關鍵字： SK海力士 3D NAND

第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已出現連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
關鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce

Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列

Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
關鍵字： CMOS 圖像傳感器 Flash

累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內存等漲價至少上調20%

5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯q價，三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
關鍵字： SK海力士三星 DDR5 NAND Flash 上漲

美光率先量產面向客戶端和數據中心的200+層QLC NAND產品

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現已量產，并在部分?Crucial?英睿達固態硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業級存儲客戶量產，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術領域的長期領導地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
關鍵字：美光 QLC NAND

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之后發現有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
關鍵字：存儲器 flash EEPROM

群聯3月營收年增73%，創歷史單月新高紀錄

近日，存儲廠商群聯公布了2024年3月份營運結果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達73%，刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長達64%，為歷史同期次高。群聯表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續緩步回升趨勢不
關鍵字：群聯 SSD固態硬盤 NAND Flash

3D NAND，1000層競爭加速

據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
關鍵字： NAND Flash 存儲芯片鎧俠

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]