本周三，三星電子對外確認，部分半導體芯片產線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發地點位于三星華城工業園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產線。據悉，此次意外是因為當地輸電線纜問題造成，預計產能完全恢復需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應尚不得而知。尤其是最新多方消息預判，明年內存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星 內存 閃存
在內存、閃存價格處于一個很敏感的拐點階段，三星在韓國華城的內存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災、停電、跳閘等事故，不少人會心一笑。調侃歸調侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴重，對內存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復正常。從目前的信息來看，三星認為事件影響不大，數百萬美元的損失意味著只有極少數的晶圓受到影響，
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北京時間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產已經暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產線以備重新啟動，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲工廠第一次出現停電事。根據資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現過停電事故，雖然停電僅持續了半小時，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當月產量的11%，預計相當于3月份的全球供應的3.5%。事后，根據預計此次事故造成了
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今年3月份，三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統內存，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，綜合了傳統內存、閃存的有點。三星量產的eMRAM內存是基于磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、
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近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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武漢新芯 50nm SPI NOR Flash
日前，賽普拉斯半導體技術有限公司宣布，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已選擇將賽普拉斯Semper NOR閃存用于其面向汽車高級駕駛輔助系統（ADAS）的新一代Visconti?系列產品。Semper系列采用嵌入式處理器架構，專為要求最嚴苛的汽車環境而開發，同時符合高密度要求和功能安全要求。針對正在努力實現自動駕駛L2級功能的主要汽車制造商，東芝專門推出Visconti? ADAS SoC。賽普拉斯Semper NOR閃存系列在功能安全合規方面處于業界領先地位，是首款專為達到ISO26262汽車
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NOR ADAS
近日，?業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產業發展研究院頒發的2019年第十四屆“中國芯”優秀技術創新產品獎。“中國芯”獎項是目前國內最具權威性與影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業、累計187款芯片產品參與報名，基本涵蓋國內最具實力的集成電路企業和最具代表性的產品，是國內集成電路產品和技術發展的風向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產品
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NOR Flash
在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。紫光旗下的長江存儲（YMTC）于今年三季度官方宣布，開始量產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預計，初期的月產能在5000片左右。來自業內分析人士最新爆料稱，長江存儲的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產能提高到6萬片。不過，接受采訪時，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華未對產能數據予以確認，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進產品的研發計劃。有報道猜測，長江存儲可能會跳過96層堆棧，預
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在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據報道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月產能僅有5000片。最新消息稱，長江存儲的64層3D閃存芯片將在年底前將月產能提高到6萬片。不過，接受采訪時，長江存儲副總裁、聯合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數據詳情包括下一代更先進產品的研發計劃。有報道指出，長江存儲預計最早明年初投產128層堆棧3D閃存，可能會采用第二代Xtacking架
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隨著紫光旗下的長江存儲在8月底量產64層堆棧的3D閃存，國產存儲器芯片已經嶄露頭角，結束了存儲芯片國產率0%的尷尬。目前紫光集團下面有多個公司設計存儲芯片業務，定位有沖突的可能，不過紫光國微已經否認了整合長江存儲的可能性。日前在投資者互動平臺上，有投資者詢問了紫光國微是否會整合長江存儲，但紫光國微方面表態謹慎，稱“長江存儲設立時，為避免潛在的同業競爭，紫光集團承諾，在本公司未來規劃發展存儲器芯片制造業務時，有權對長江存儲進行產業整合。鑒于紫光集團在存儲器領域的戰略布局，公司目前沒有計劃涉足存儲器芯片制造業
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現在市面上主流的SSD都是TLC顆粒，相比以前的SLC和MLC顆粒在擦寫壽命和穩定性上會差不少，但是好處是SSD容量可以越做越大，也越來越親民，現在SSD 1元1GB已經成為了常態價。
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固態硬盤 閃存 PLC SSD
根據Tom‘s Hardwared的報道，東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發。
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東芝 5bit PLC 閃存
在今天召開的2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團展出了旗下芯片及云計算等領域的最新進展，其中首次公開展出了旗下長江存儲研發的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結構，核心容量也提升到了256Gb。根據官網資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用于移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。在閃存芯片上，長江存儲去年就小規模量
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昨天晚上，知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的閃存性能測試數據。
根據測試數據，三星Note10的UFS 3.0 閃存速度表現十分亮眼，順序讀取速度為1486MB/s，順序寫入速度達到了586MB/s，隨機4K讀取速度為179.16MB/s，隨機4K寫入速度為201.27MB/s。
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