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閃存價(jià)格Q3逆勢(shì)大跌10% 海外廠商擔(dān)心：中國(guó)廠商速度太快了

Q3季度本來應(yīng)該是閃存市場(chǎng)的旺季，但是現(xiàn)在閃存價(jià)格不僅沒漲，反而逆勢(shì)跌了10%，預(yù)計(jì)Q4季度還會(huì)繼續(xù)跌，競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。閃存跌價(jià)有多方面因素，主要原因無疑是今年全球經(jīng)濟(jì)都會(huì)大幅下滑，閃存的主要市場(chǎng)——智能手機(jī)行業(yè)更是大跌。其他因素還有幾大閃存原廠的96層及128層3D閃存良率增加，產(chǎn)能大增，進(jìn)一步導(dǎo)致了市場(chǎng)供過于求，價(jià)格開始下滑。還有一個(gè)因素目前的影響比較小，但是海外廠商一點(diǎn)也不敢輕視，那就是國(guó)內(nèi)的閃存廠商開始崛起，而且速度非常快。目前國(guó)內(nèi)閃存主要是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在做，它們2016年才由紫光集團(tuán)整合武漢新芯才成立
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HDD退居二線西數(shù)終極轉(zhuǎn)型時(shí)刻到了：閃存挑大梁

西數(shù)今天發(fā)布了2020財(cái)年Q4季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收42.87億美元，同比增加18%，凈利潤(rùn)1.48億美元，上一年同期虧損1.97億美元。這次的財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)確實(shí)光鮮了不少，營(yíng)收大漲，扭虧為盈，非GAAP規(guī)則下凈利潤(rùn)達(dá)到了3.69億美元，大漲6.4倍，表現(xiàn)倒是很驚人。不過細(xì)看之下，西數(shù)這個(gè)財(cái)季的變化還真不小，HDD硬盤出貨量為2310萬(wàn)部，創(chuàng)造了歷史新低，與上一年同期的2770萬(wàn)部相比大幅下滑。HDD硬盤市場(chǎng)的情況也就這樣了，出貨量不斷下滑是可以預(yù)期的，唯一的好處就是大容量HDD硬盤還不能少，所以西數(shù)的HDD硬盤均價(jià)還
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元同比大增27%

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長(zhǎng)率，將是最高的，是增長(zhǎng)最明顯的一類。就預(yù)期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會(huì)是集成電路中的第二大細(xì)分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷售額預(yù)計(jì)為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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西數(shù)旗下全資子公司晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目開工

2020年7月28日上午，晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目的開工儀式。作為西部數(shù)據(jù)公司除深圳工廠之外在華的另一大型工廠，此次晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目約為11,800平方米，預(yù)計(jì)于2021年完工；旨在擴(kuò)充先進(jìn)的產(chǎn)品制造設(shè)施和以產(chǎn)品為中心的技術(shù)研發(fā)，以支持潛在產(chǎn)能擴(kuò)張，并為員工建立溫暖如家的工作環(huán)境，提升團(tuán)隊(duì)凝聚力和集體歸屬感。晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司是美國(guó)西部數(shù)據(jù)公司下屬全資子公司，主要從事先進(jìn)閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、封裝和測(cè)試，自2006年落戶紫竹高新區(qū)以來，注冊(cè)資本從3200萬(wàn)
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第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

日本計(jì)劃在東京奧運(yùn)會(huì)上展示無人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車、盲點(diǎn)偵測(cè)以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動(dòng)式安全保護(hù)，以達(dá)到無人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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華為、三星、蘋果手機(jī)下滑閃存先遭殃：3個(gè)月來跌價(jià)20%

作為NAND閃存的最大市場(chǎng)，智能手機(jī)市場(chǎng)今年還會(huì)下滑，蘋果、三星及華為的手機(jī)業(yè)務(wù)都遭受了壓力，閃存市場(chǎng)也應(yīng)聲而跌，3個(gè)月來價(jià)格跌了20%，這一個(gè)月來就跌了8%。全球每年將近15億臺(tái)的智能手機(jī)是NAND閃存廠商的最大客戶，如今手機(jī)的存儲(chǔ)容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少見，比很多人的SSD硬盤容量都大，結(jié)果這個(gè)最大動(dòng)力今年也熄火了。今年全球經(jīng)濟(jì)都在下滑，第一大品牌三星最近調(diào)整了手機(jī)出貨量目標(biāo)，至少砍了15%，全年預(yù)期只有2.4億部，接下來要發(fā)布的Note 20系列也在砍單，三星要求供
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疫情之下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

6月27日，SEMICON China 2020大會(huì)于上海拉開帷幕。會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國(guó)際局勢(shì)的變幻莫測(cè)，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費(fèi)市場(chǎng)的變化驅(qū)動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求增長(zhǎng)。從全球市場(chǎng)綜合發(fā)展來看，企業(yè)級(jí)SS
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國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問世武漢基地二期開工

4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預(yù)計(jì)2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國(guó)將擁有7條
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閃存顆粒哪家強(qiáng)？最新市場(chǎng)排名出爐

來自統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計(jì)顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營(yíng)收均有所增長(zhǎng),整體規(guī)模達(dá)到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營(yíng)收45億美元,環(huán)比增加1.1個(gè)百分點(diǎn),市場(chǎng)份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲(chǔ))緊隨其后,營(yíng)收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場(chǎng)份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營(yíng)收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報(bào)告稱,一季度
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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲(chǔ)供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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128層閃存：中國(guó)剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國(guó)的突破顯然讓國(guó)際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來自韓國(guó)的SK海
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過上了好日子,想降價(jià)只能靠中國(guó)廠商了。上周國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用恒爍半導(dǎo)體50nm NOR Flash芯片正式面世

合肥恒爍半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“恒爍半導(dǎo)體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲(chǔ)芯片，此芯片的推出將有效加快萬(wàn)物智能互聯(lián)的進(jìn)程。
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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