TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環比增長11.4%至21.4億美元，環比增長11.4%，排名第三。美光收入環比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環比增長 12.2% 至 19 億美元
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三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據 路透社和 彭博社的數據，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現有晶圓廠的運營，但不會批準產能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經在今年早些時候通過出售其大連工廠
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三星 海力士 晶圓廠 NAND
據韓媒ZDNet Korea援引業界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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在超節點計算架構從技術概念轉化為驅動IT產業鏈升級的強大引擎之際，2025開放計算技術大會于上周在北京隆重啟幕。全球領先的企業數據存儲解決方案提供商Solidigm出席會議，與產業伙伴們一同探討了開放架構下存儲系統與關鍵部件的演進與創新。 Solidigm榮獲“2025開放計算最佳創新獎” 在大會現場，一個反復被提及的焦點是，大模型參數規模的指數級擴張使得傳統HDD解決方案受限于機械結構和高功耗，無法繼續滿足AI訓練對存儲系統的嚴苛要求。Solidigm向參會嘉賓分享了高效
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美光??宣布推出業內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現已實現商業化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環境使用而設計。該產品已根據 NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環、缺陷篩選和動態老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環境中的可靠性。這
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美光 內存 NAND
(圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據 NAND 存儲器生產市場的 15%，據《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據 DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
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中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統 DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據 ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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CXMT YMTC DRAM NAND
根據TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產品，帶動出貨規模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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NAND Flash
SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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美光 自適應寫入 QLC NAND
TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續至年底。根據通路查核，隨著價格進入高檔區間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
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DDR4 NAND
縱觀整個電子行業，往更高密度的集成電路發展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產品可持續發展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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AI推理 QLC NAND Flash
韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發展，包括封裝、3D 堆疊、以內存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業和研究方向，而不是任何商業公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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上半年，時至過半。回顧這半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產品領域。在這個過程中會對半導體產業造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產 DDR3 和 DDR4 內存的消息，想必業內人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內存）和 DDR5 等
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DDR3 DDR4 NAND HDD
據消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據悉，LG顯示此前的eMMC產品還使用了ESMT和鎧俠的產品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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三星 MLC NAND TLC QLC
業界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現短缺。 供應鏈業者同步透露，金價持續上漲、產品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉嫁成本上漲，包括群聯、慧榮等主控業者有機會受惠。多家BT載板業者證實，確實2025年5月上旬時，陸續接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據三菱發出的通知內容指出，
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