一、產品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優勢與NAND Flash大容量、低成本優勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發展機遇，成為安防、工業、IoT等快
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兆易創新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
在供應緊張引發全球記憶價格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調價格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數據中心SSD業務經理Cameron Crandall的言論指出，NAND價格自2025年1月以來已上漲246%，隨著短缺加劇，未來30天內可能進一步攀升。在報道引用的《The Full Nerd Network》采訪中，Crandall指出，近70%的NAND價格急劇飆升發生在過去60天內。由于NAND約占SSD成本結構的90%，他表示金斯頓幾乎沒
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NAND 存儲
據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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長江存儲 3D NAND 閃存 存儲器
研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達五位。三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿
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NAND 三星 存儲技術 FeFET
三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數增加，開銷也隨之增加，由于層
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三星 鐵電晶體管 低功耗 NAND
在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術研究院）宣布將在《自然》雜志上發表其關于新型NAND閃存結構的研究，以顯著提升能源效率。據ETNews報道，三星首次在全球范圍內發現了將氧化物半導體與鐵電結構結合的關鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統NAND閃存存儲數據為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
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NAND 閃存 SAIT
在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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SK海力士 高帶寬 存儲堆疊 NAND DRAM
AI服務器推動儲存需求爆發，傳統硬盤（HDD）持續大缺貨，據悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業級固態硬盤（SSD）。 部分原廠2026年QLC NAND Flash產能也被提前搶購一空，業界預期，最快在2027年，全球QLC位可能超車TLCNAND。AI發展重點轉向推論，依賴高效能及大容量儲存裝置，北美多個數據中心陸續建設落成，CSP大廠迫切需要高容量儲存裝置供應配合，但傳統近線儲存（Nearline Storage）首選的HDD產能受限，無法快速承
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總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
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根據韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現在正實現顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導的
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隨著全球數據中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內存需求的持續增長，并導致內存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產品的價格一周。行業內部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發現將面臨嚴重的供應短缺，促使公司緊急暫停
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2025開放數據中心大會在京舉辦，行業領袖齊聚，探討AI帶來的機遇和挑戰。在9月11日舉辦的“新技術與測試”分論壇上，Solidigm亞太區應用工程部總監翁昀以QLC為核心主題，詳細介紹了Solidigm大容量QLC SSD如何通過出色的成本效益與容量密度，幫助客戶優化AI存儲基礎設施，應對海量數據挑戰。數據中心作為AI時代的核心基礎設施，承載著AI模型訓練和推理等關鍵任務。AI應用的爆發式增長，對數據中心特別是存儲系統提出了更為嚴苛的要求。傳統存儲架構在處理海量非結構化數據、高吞吐任務以及控制能耗和空間
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現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業務，引起了業內廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
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根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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