ram 內(nèi)存文章最新資訊

三巨頭最后一家：SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時(shí)代

SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級(jí)工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時(shí)，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級(jí)工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準(zhǔn)備。
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LPDDR3并不一定弱實(shí)測(cè)對(duì)比單雙通道DDR4

目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存，一種是LPDDR3，多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中，不可更換；另一種是DDR4，常見于14英寸輕薄本或游戲本中，可更換。
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內(nèi)存暴跌仍將繼續(xù) 何時(shí)上車最合適？

內(nèi)存是拿來用的，不是拿來炒的。內(nèi)存炒作，就像是買房，只要有人想買，就會(huì)有人想著去炒，這就會(huì)出現(xiàn)房屋供給總量永遠(yuǎn)趕不上需求量的尷尬情景，而真正需要買房的人，只能是因?yàn)楦甙旱膬r(jià)格望而卻步。
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芝奇推藏禮盒：插上皇家戟內(nèi)存閃耀鉆石光芒

?芝奇發(fā)布了全新的Trident Z Royal皇家戟系列內(nèi)存，精雕細(xì)琢的透鉆導(dǎo)光設(shè)計(jì)，多層向切割面、水晶般清澈材質(zhì)呈現(xiàn)飽滿光線折射，搭配多重電鍍工藝的高品質(zhì)鋁合金散熱馬甲，而且有八組可獨(dú)立控制的RGB多彩燈區(qū)。
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Intel披露第三代傲騰持久內(nèi)存：兼容DDR5

隨著第二代可擴(kuò)展至強(qiáng)(Cascade Lake)的發(fā)布，Intel也正式帶來了基于3D XPoint存儲(chǔ)技術(shù)的傲騰持久內(nèi)存(Optane DC Persistent Memory)，兼容DDR4并可與其混搭使用，既能用來加速也能用來擴(kuò)容，基本消弭了從處理器到內(nèi)存之間的鴻溝。
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鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器F-RAM在動(dòng)力電池管理上的應(yīng)用

　　隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的發(fā)展，以及政府的政策鼓勵(lì)與扶持，電動(dòng)汽車(混動(dòng)+純電動(dòng))以每年超過50%的速度高速增長(zhǎng)，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動(dòng)汽車的核心組件，其市場(chǎng)需求也獲得相應(yīng)的快速增長(zhǎng)。本文將就電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求進(jìn)行分析　　電池管理系統(tǒng)(Battery Management System, 即BMS)主要實(shí)現(xiàn)三大核心功能：電池充放電狀態(tài)的預(yù)測(cè)和計(jì)算(即SOC)、單體電池的均衡管理，以及電池健康狀態(tài)日志記錄與診斷。功能框圖如下：　　在整個(gè)電池管理系統(tǒng)中，電池荷電狀態(tài)的預(yù)測(cè)和計(jì)算(即SOC)是其最
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人工智能顛覆傳統(tǒng)計(jì)算方式：讓內(nèi)存更接近計(jì)算資源

在Forrester Research近期的一項(xiàng)調(diào)查中，有89%的受訪者表示，計(jì)算和內(nèi)存在架構(gòu)上緊密相連是至關(guān)重要的。這項(xiàng)調(diào)研由美光(Micron Technology)公司委托，調(diào)查結(jié)果中還發(fā)現(xiàn)，內(nèi)存和存儲(chǔ)是如今限制人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)發(fā)展的非常重要的因素。
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庫存去化不易，2019年第一季服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)跌幅逾兩成

　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)受到庫存壓力與淡季效應(yīng)的影響，需求面持續(xù)低迷，且在全球貿(mào)易不穩(wěn)定的心理預(yù)期下，2019年上半年市場(chǎng)需求將更趨保守。2019年第一季服務(wù)器內(nèi)存的合約價(jià)將從原先預(yù)估的較前一季下跌15%，擴(kuò)大至兩成以上。　　對(duì)此，DRAMeXchange資深分析師劉家豪表示，其主要原因仍出在服務(wù)器內(nèi)存庫存難以去化。若以原廠供給達(dá)成率(Supplier Fulfilment Rate)來看，平均需求滿足度已從去年第四季的90%，來到今年第一
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基于內(nèi)存計(jì)算技術(shù)的人工智能芯片問世

　　通過改變計(jì)算的基本屬性，美國(guó)普林斯頓大學(xué)研究人員日前打造的一款專注于人工智能系統(tǒng)的新型計(jì)算機(jī)芯片，可在極大提高性能的同時(shí)減少能耗需求。　　該芯片基于內(nèi)存計(jì)算技術(shù)，旨在克服處理器需要花費(fèi)大量時(shí)間和能量從內(nèi)存中獲取數(shù)據(jù)的主要瓶頸，通過直接在內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算，提高速度和效率。芯片采用了標(biāo)準(zhǔn)編程語言，在依賴高性能計(jì)算且電池壽命有限的手機(jī)、手表或其他設(shè)備上特別有用。　　研究人員表示，對(duì)于許多應(yīng)用而言，芯片的節(jié)能與性能提升同樣重要，因?yàn)樵S多人工智能應(yīng)用程序?qū)⒃谟梢苿?dòng)電話或可穿戴醫(yī)療傳感器等電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備上運(yùn)行。這也
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內(nèi)存芯片高增長(zhǎng)到頭了？三星營(yíng)收破紀(jì)錄后削減開支

　　韓國(guó)IT巨頭三星電子(Samsung Electronics)在交出了一份創(chuàng)紀(jì)錄的業(yè)績(jī)后，卻宣布將削減開支。有觀點(diǎn)認(rèn)為，持續(xù)兩年的內(nèi)存芯片熱潮已經(jīng)結(jié)束。　　10月31日，三星發(fā)布了2018年第三季度財(cái)報(bào)，公司的利潤(rùn)和收入大漲，打破歷史記錄。據(jù)CNBC當(dāng)天報(bào)道，在截至9月底的第三季度中，三星的利潤(rùn)達(dá)到了破紀(jì)錄的17.57萬億韓元(約155億美元)，比去年同期增長(zhǎng)了21%。合并季度收入達(dá)65.46萬億韓元，比去年同期增長(zhǎng)了5.5%。　　三星稱，此次業(yè)績(jī)受內(nèi)存產(chǎn)品的強(qiáng)勁銷售和產(chǎn)量提高所提振，這些內(nèi)存產(chǎn)品主要
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美光科技收購IM Flash，強(qiáng)化3D XPoint技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　美光科技10月18日宣布，公司計(jì)劃對(duì)英特爾在雙方的合資公司 IM Flash Technologies， LLC (簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購期權(quán)。　　美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“美光科技對(duì)IM Flash的收購表明，我們堅(jiān)信3D XPoint技術(shù)和其他新興存儲(chǔ)技術(shù)將為公司提供獨(dú)一無二的差異化優(yōu)勢(shì)，并為海量數(shù)據(jù)需求的新型應(yīng)用提供不可或缺的重要解決方案。這項(xiàng)投資能讓美光科技擁有成熟的研發(fā)和制造工廠，擁有在創(chuàng)新和執(zhí)行方面有著卓越紀(jì)錄并高技能型人才隊(duì)伍。”
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美光科技宣布收購其在 IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份的意向

　　美光科技公司今日宣布，公司計(jì)劃對(duì)英特爾在雙方的合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購期權(quán)。　　美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光科技對(duì) IM Flash 的收購表明，我們堅(jiān)信 3D XPoint 技術(shù)和其他新興存儲(chǔ)技術(shù)將為公司提供獨(dú)一無二的差異化優(yōu)勢(shì)，并為海量數(shù)據(jù)需求的新型應(yīng)用提供不可或缺的重要解決方案。這項(xiàng)投資能讓美光科技擁有成熟的研發(fā)和制造工廠，擁有在創(chuàng)新和執(zhí)行方面有著卓越紀(jì)錄并高技能型人才
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內(nèi)存/SSD價(jià)格崩盤？因需求不足存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)持續(xù)下跌

內(nèi)存/SSD的價(jià)格是升是降一直在搖擺不定，這其中一部分原因是受上游存儲(chǔ)顆粒廠商所控制。
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單片機(jī)的累加器A與片外RAM之間的數(shù)據(jù)傳遞類指令簡(jiǎn)介

單片機(jī)的累加器A與片外RAM之間的數(shù)據(jù)傳遞類指令簡(jiǎn)介
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中國(guó)產(chǎn)能逐漸開出內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將于開始下滑。　　資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長(zhǎng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)。　　洪春暉進(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)25%，產(chǎn)
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