設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術，在1.8V電壓供電下，該射頻開關收發兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
目前，全球無線通信系統正處于快速發展進程中，無線通信“行業專網”系統也正處于飛速發展的黃金時期。我國無線通信行業專網所用頻點和帶寬種類繁多，其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網使用不同的頻點、射頻帶寬和信號帶寬，標
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CMOS 射頻無線收發芯片 RFID
RF功率行業的領導者飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案，為高級無線架構設備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應用)提供了全新級別的性能。
飛思卡爾最新的Airfast系列RF功率解決方案基于成功且具備卓越性能的上一代產品，包含了28V獨立和單級功率放大器。在充分利用并增強了第一代Airfast電路、模具、匹配網絡和封裝技術的基礎上，飛思卡爾憑借新一代Airfast技術(包括首次推出RF功率LDMOS部件，從而在Doherty配置
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飛思卡爾 RF Airfast LDMOS 201407
東京—東芝公司今天宣布，該公司已開發出一款采用標準CMOS技術制造的原型參考時鐘振蕩器，該振蕩器達到了全球最高等級精確度。這款新設備用于代替傳統的晶體振蕩器，將為電子設備的微型化提供支持。
東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規模集成電路技術及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術。
近年來，對于作為電子產品復雜功能來源的電子組件的微型化要求已經擴及振蕩器，激發了對超小型振蕩器的興趣。
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東芝 CMOS 振蕩器
1. RF無線射頻電路設計中的常見問題
射頻(RF) PCB設計，在目前公開出版的理論上具有很多不確定性，常被形容為一種“黑色藝術”。通常情況下，對于微波以下頻段的電路( 包括低頻和低頻數字電路) ，在全面掌握各類設計原則前提下的仔細規劃是一次性成功設計的保證。對于微波以上頻段和高頻的PC類數字電路，則需要2~3個版本的PCB方能保證電路品質。而對于微波以上頻段的RF電路，則往往需要更多版本的PCB設計并不斷完善，而且是在具備相當經驗的前提下。由此可知RF電設計上的困難。
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射頻 RF 隔離
英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產品組合，推出一款天線調諧專用開關。新款天線調諧開關(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產品從根本上優化天線特性，在相關的LTE頻帶上可讓運行中的數據率達到最高水平。BGS1xGN10系列開關采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關重要。此外，該系列進一步降低電流消耗，延長此類設備的待機和工作時間。 采用英飛凌射頻CMOS開關技術的天線調諧專用開關有利于開
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英飛凌 BGSA14GN10 CMOS
英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開關的出貨量已經突破10億大關。這凸顯了英飛凌作為發展速度最快的射頻開關領先供應商之一的地位。預計，今后數年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段，射頻開關需求將呈兩位數增長。 隨著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多，其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外，天線開關也是射頻前端至關重要的主要組件。這些天線開關要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發射(TX)/接收(RX)通道，要
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英飛凌 LTE CMOS
專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發創新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產。 RFX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上
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RFaxis RF CMOS
日前，德州儀器 (TI) 宣布其基站軟件開發包 (Base Station SoftwarePac) 新增 RF 軟件開發套件 (RFSDK)，可使小型基站開發人員配置基帶至射頻通信并在僅僅一天之內即實現首次調用或系統驗證，而此前所需的時間長達數周甚至數月之久。借助該新型 RFSDK，基于 TI KeyStone™ 的 TCI6630K2L 小型基站片上系統 (SoC) 和 TCI6631K2L 回程 SoC 如今能夠無縫地實現諸如數字預失真 (DPD) 和波形因數抑制 (CFR) 等數字
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德州儀器 RF 基站
在市場再度傳言IBM將10億美元出售其芯片部門給GlobalFoundries的同時，該公司正在加速量產新一代絕緣上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)與硅鍺(silicongermanium，SiGe)制程，以擴大在射頻(RF)芯片代工市場的占有率;該類芯片傳統上大多是采用更稀有的砷化鎵(galliumarsenide，GaAs)制程。
IBM的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國佛州Burlington晶圓廠運作，該座8吋晶圓廠以往曾生產IBM高階服務器處理器以及
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RF 芯片
致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布進軍單片微波集成電路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)市場領域。在其豐富的RF、微波和毫米波解決方案歷史的基礎下，新的產品系列最初將提供涵蓋DC-40GHz范圍的16種產品，包括寬帶放大器、低噪聲放大器和開關產品，設計用于國防、通信、儀器儀表和航空航天工業。
美高森美一直活躍于MMIC產品的開發工作，同時使用成熟的
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美高森美 RF
Molex 公司的柔性微波電纜組件(Flexible Microwave Cable Assemblies)通過結合Temp-Flexò同軸電纜和高性能射頻(RF)連接器，替代半剛性組件。這些組件具有出色的電氣性能及使用專有技術組裝，最大限度地減小電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio)和插入損耗，用于完整的端至端互連解決方案。
Molex產品經理Darren Schauer表示：“半剛性電纜組件被彎曲放入現今較小的模塊時可能出現性能退化
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Molex RF VOP
在地熱生產和石油生產過程中溫度通常會超過200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開發出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。
傳統的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續冷卻，但是很難實現。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。
IMS開發的微芯片尺寸僅有0
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微芯片 CMOS
Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商及數據轉換器市場份額領先者*，日前宣布推出雙通道、1.25 V、14位、1 GSPS ADC AD9680 ，它具有同類產品中的最佳噪聲和動態范圍性能，支持通訊、儀器儀表和軍事/航空航天領域的直接RF采樣應用。其154 dBFs/Hz的噪聲密度為業內最低。ADI公司的寬帶RF數據采集技術具有突破性的性能、帶寬、集成功能，能夠在擁堵的RF環境中，以史無前例的帶寬更好地提取信號。AD9680可與主要制造
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ADI AD9680 RF
因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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MOS CMOS
當平面工藝已經無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構是業界首先能想到的提升方式。
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CMOS 納米
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